EEUU restringe el comercio de equipos para la fabricación de memoria en China
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El Departamento de Comercio de Estados Unidos acaba de anunciar una nueva batería de restricciones comerciales contra los fabricantes de circuitos integrados de China. En esta ocasión se centran en los procesos de fabricación más avanzados, lo que tendrá un impacto considerable para los fabricantes de memoria DRAM y NAND flash que emplean procesos de 18 nanómetros o menos.
Las autoridades de Estados Unidos continúan profundizando en su batalla comercial contra la industria de semiconductores de China, y el pasado 7 de octubre anunciaron nuevas restricciones que afectarán no solo a los fabricantes con fondos chinos, sino también a las empresas extranjeras que tienen plantas de producción en el país asiático. Los expertos de TrendForce explican que estas nuevas medidas afectan principalmente a los procesos de 16 nanómetros, 14 nm y más avanzados en el segmento de los circuitos integrados de lógica, como FinFET o GAAFET. Y también a procesos de 18 nanómetros o menos empleados en la memoria DRAM y a los equipos empelados para fabricar chips NAND flash de 128 capas o más.
Como han explicado desde el Departamento de Comercio de EEUU, a partir de la entrada en vigor de estas restricciones las empresas afectadas deberán solicitar la aprobación anticipada, caso por caso, para seguir recibiendo equipos relacionados con la fabricación de estos chips. Afirman que con estas nuevas restricciones pretenden limitar las posibilidades de que China se sirva de las importaciones de estas tecnologías para desarrollar tecnologías militares de nueva generación, aunque su impacto se dejará sentir en el la industria de memoria, un sector que no se había visto tan limitado por las restricciones anteriores.
Teniendo en cuenta que estas medidas ya se podían prever a la luz de las lanzadas en meses anteriores, las principales fundiciones de obleas de silicio destinadas a productos de memoria ya habían comenzado a enfocar la expansión de su capacidad a procesos de 28 nanómetros o más, limitando el posible impacto de eventuales nuevas restricciones. Aunque, según TrendForce, las medidas de EEUU se dejarán sentir en la industria de China, que todavía no ha logrado desvincularse de la tradicional dependencia de tecnologías estadounidenses, a pesar de haber estrechado relaciones con los fabricantes de equipos chinos, europeos y japoneses.
En el ámbito concreto de la memoria, las restricciones afectarán a los fabricantes de chips DRAM que emplean procesos de 28 nanómetros o menos, cuyas importaciones a proveedores estadounidenses estarán sujetos a la revisión por parte del Departamento de Comercio. Esto no solo afectará a marcas chinas como CXM, sino también a marcas extranjeras de gran peso, como la coreana SK Hhynix.
En el segmento de memoria NAND flash las nuevas restricciones se aplican a las importaciones de equipos empleados en la fabricación de chips de 128 capas o más, lo que podría dañar la producción de la marca emergente china YMTC, y probablemente a fabricantes tan importantes como Samsung o Solidigm. Los expertos opinan que Estados Unidos continuará profundizando en su boicot a la industria de memoria de China y a las marcas de otros países que tienen fábricas en China, lo que podría tener consecuencias inesperadas a medio y largo plazo para la propia industria de semiconductores norteamericana, abriendo mercado a los proveedores consolidados y emergentes de otras regiones.
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