Avances de la memoria DRAM para 2023
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A pesar de que el mercado de memoria está en plena etapa de contracción, los fabricantes de chips DRAM seguirán invirtiendo en la evolución de sus productos en 2023. Las principales tendencias para el año que viene estarán relacionadas con el lanzamiento de productos DDR5, LPDDR5X y GDDR7, y con la popularización de soluciones de alto ancho de banda y la compatibilidad con estándares como CXL.
La industria de memoria DRAM está viviendo una mala época por la caída de ventas de chips y módulos DDR para equipos informáticos, pero los fabricantes no pueden frenar el desarrollo de las nuevas tecnologías para aumentar el rendimiento de las siguientes generaciones de dispositivos y plataformas informáticas. En su informe de final de año, Tom Coughlin, de Coughlin Associates, destaca las principales tendencias en memoria DRAM para el año que viene.
La principal es que, al igual que ocurre con la memoria NAND Flash, los fabricantes de memoria DRAM seguirán escalando sus soluciones y lanzando sus nuevos estándares. Por ejemplo, DDR5, la siguiente generación de módulos de memoria que elevarán el rendimiento de los ordenadores y los servidores de nueva generación.
Un ejemplo está en el fabricante Samsung, que durante el pasado Tech Day de 2022 compartió su hoja de ruta para DRAM. Sus próximos avances serán el lanzamiento de módulos DRAM DDR5 de 32 Gb, LPDDR5X de 8,5 Gb y memoria gráfica GDDR7 de 36 Gb. Además, la compañía ha anunciado avances en las soluciones DRAM personalizadas, como HBM-PIM, AXDIMM y CXL.
En 2023 también se verán avances en la sinergia entre memoria principal y almacenamiento, enfocados principalmente en las nuevas aplicaciones de memoria computacional. Actualmente hay varios dispositivos y arquitecturas de este tipo, como el almacenamiento computacional basado en DPU de Mellanox y SSD con computación integrada de diferentes fabricantes, que en muchos casos emplean memoria DRAM para acelerar las tareas en la unidad.
Otra de las tendencias más candentes en el ámbito de la memoria es la expansión del estándar Compute Express Link (CXL), que promete mejoras significativas en la conectividad de las CPU con memorias de alto rendimiento. Aunque la tecnología Optane de Intel (3D Xpoint) está en proceso de desaparición, y todavía no se ha habilitado la compatibilidad de esta memoria polivalente con CXL, otras tecnologías están llamadas a sustituirla en los ámbitos de la memoria principal y la memoria de clase de almacenamiento (SCM).
El lanzamiento de CXL 3.0 en 2022 abre las puertas a una mejor integración de nuevas tecnologías de memoria y a compartir sus recursos entre distintas CPU. Los principales fabricantes de la industria están trabajando en nuevas memorias DRAM y NAND Flash compatibles con CXL, y se esperan avances interesantes en este sentido en 2023. El principal enfoque estará en las plataformas de computación de alto rendimiento, destinadas a aplicaciones como la inteligencia artificial, aunque las posibilidades que ofrece este estándar trascenderán este ámbito.
Ejemplos de ello están en productos como los SSD CXL de firmas como Samsung, que combinan memoria NAND flash para el almacenamiento con memoria caché DRAM para acelerar las operaciones de E/S en aplicaciones de IA y aprendizaje automático. Por su parte, SK Hynix y otras compañías han anunciado expansores de memoria basados en CXL y productos DDR5 compatibles con este estándar.
En el ámbito de los controladores de memoria también se están viendo avances para la integración de CXL, de la mano de firmas como Marvell, que están enfocándose en la desagregación de cómputo, memoria y almacenamiento de datos. En Coughlin Associates pronostican que en 2023 llegarán los primeros sistemas basados en CXL para expandir la memoria de las CPU, y que en 2024 se lancen los sistemas de agrupación de memoria compatibles con la versión CXL 3.0.
Por otra parte, la próxima desaparición de la memoria Optane de Intel dejará espacio para el desarrollo y la expansión de otras tecnologías de memoria no volátil de alto rendimiento, como MRAM (RAM Magnetorresistiva) y RRAM (RAM Resistiva), algo en lo que están trabajando grandes firmas como Samsung o TSMC, entre otras. Finalmente, en este informe anticipan que la creciente popularidad de las arquitecturas chiplet y la llegada de la nueva interfaz UCIe (Universal Chiplet Interconnect express) impulsará la demanda de chiplets de memoria discreta, construidos empleando tanto DRAM como memorias emergentes.
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