Se acentúa el dominio de los tres principales proveedores de DRAM

El mercado de memoria DRAM ha sufrido grandes fluctuaciones en las últimas décadas, con una gran caída en 2019 (-37%), y con una nueva etapa de crecimiento explosivo en 2021, cuando las ventas aumentaron de nuevo un 42%. Este gran incremento de la demanda ha servido para que los tres principales proveedores de la industria hayan consolidado su posición de liderazgo mundial, acaparando el 94% de todas las ventas durante el año pasado.

El primero del ranking fue Samsung, que en 2021 logró un 44% de participación, con unos ingresos de casi 41.900 millones de dólares. Entre los principales logros de la compañía en este ámbito está la introducción de la tecnología de litografía ultravioleta extrema (EUV), que le permitió lanzar la nueva generación de DRAM basada en EUV de 14 nanómetros en octubre del año pasado, incrementando la cantidad de capas de memoria de dos a cinco en sus nuevos móviles DDR5.

En noviembre anunció que había aplicado esta técnica a la fabricación de DRAM 5X (LPDDR5X) para aplicaciones relacionadas con 5G, inteligencia artificial, machine learning y big data. Y otros avances significativos han sido el lanzamiento del primer módulo de memoria DRAM compatible con el nuevo estándar de interconexión Compute Express Link (CXL) y las memorias GDDR6 de 2G para aplicaciones automotrices y DRAM DDR4 de 2 Gb para vehículos eléctricos y autónomos y sistemas de información y entretenimiento de alto rendimiento.

La segunda compañía del ranking mundial en 2021 fue la también surcoreana SK Hynix, que logró una cuota de mercado del 28%, un logro que consiguió tras incrementar sus ventas de DRAM en un 39% interanual, hasta los 26.600 millones de dólares. Como explican los investigadores de IC Insights, la DRAM representó alrededor del 71% las ventas totales de semiconductores de la compañía. La DRAM de servidor supuso un 40% del total, mientras que la DRAM móvil otro 35%, la memoria de PC un 15% y la DRAM de consumo y gráficos un 5% cada una.

Uno de los hitos de este fabricante durante el año pasado fue le lanzamiento de la que consideran como la DRAM DDR5 más rápida del mercado, basada en los chips HBM3 (High Bandwidth Memory de tercera generación). Y también comenzó a emplear tecnología EUV para la producción en masa de memoria DRAM LPDDR4 de 8 Gb en su nodo de proceso de 10 nanómetros de cuarta generación, que denomina proceso 1-alpha (1a nm).

El tercer líder del mercado mundial de DRAM fue la norteamericana Micron, que con un aumento de ventas del 41% interanual (21.900 millones de dólares), logró acaparar el 23% de las ventas globales. Al igual que en el caso anterior, la memoria DRAM representó la mayor parte de las ventas de la compañía (73%). Su principal logro durante ele año pasado fue el lanzamiento de su nodo de memoria 1a nm, enfocado a la producción de memoria DRAM DDR5 para centros de datos, apoyando el lanzamiento de las nuevas plataformas de computación para servidores. La empresa espera que las ventas de estos nuevos módulos comiencen a crecer hacia finales de 2022 y ganen impulso en 2023, trasladándose también a otros ámbitos, como el de los smartphones 5G. Cabe destacar que Micron no emplea litografía EUV en su fábrica de 1a nm, pero planea llevar a cabo la transición a esta tecnología para fabricar DRAM a partir de 2024.

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