Tecnología híbrida que combina las ventajas de la memoria de cambio de fase y la DRAM

  • Noticias y Actualidad

semiconductores

Un equipo de ingenieros chinos ha concebido un nuevo tipo de memoria híbrida basada en DRAM y memoria de cambio de fase, que mejora las capacidades de la tecnología PCM convencional. Esta combinación ofrecería un rendimiento y una vida útil muy superiores, en un tamaño contenido y con una gran eficiencia energética.

El desarrollo de la tecnología de memoria de cambio de fase (PCM) se puede utilizar para conectar directamente la memoria no volátil empleada en el almacenamiento de datos con el bus de memoria principal, así como incrementar el rendimiento de lectura y reduciendo el consumo en los tiempos de inactividad. Pero hasta el momento no se ha logrado una velocidad de escritura tan elevada como la que alcanza la DRAM, y al elevar su rendimiento se reduce la vida útil del material.

Aun así, el potencial de la memoria de cambio de fase es enorme, y los científicos y la industria continúan trabajando para resolver los problemas actuales y descubrir nuevas formas de aplicar esta tecnología a los sistemas de memoria de los computadores más potentes. Recientemente un equipo de investigadores chinos de la Universidad Sun Yat-Sen de Guandong y de la Universidad de Ingeniería del Ejército de Nanjing han presentado una tecnología híbrida que podría dar solución a las limitaciones actuales de la memoria PCM.

En el trabajo que han publicado en la revista IEEE Transactions on Parallel and Distributed Systems describen un dispositivo de memoria basado en una arquitectura híbrida que aprovecha las ventajas de las tecnologías DRAM y PCM. Esta idea no es nueva, pero afirman haber desarrollado un enfoque que salva las limitaciones de la memoria principal, ofreciendo una solución apta para las aplicaciones de computación en memoria.

Como explican en su artículo, han desarrollado “un nuevo marco de sistema de memoria DRAM-PCM híbrido compatible con el contenido CAHRAM, que aprovecha la deduplicación para mejorar el uso compartido de líneas con una alta eficiencia de memoria”. Afirman que reduce el tráfico de escritura a la memoria híbrida gracias a que se eliminan las escrituras de línea duplicadas innecesarias, mejorando la resistencia de escritura de la memoria PCM.

Además, su propuesta permite ampliar el espacio de memoria libre al fusionar líneas redundantes en la memoria híbrida. Y han diseñado una técnica de migración de páginas basada en referencias para minimizar el trabajo general de acceso provocad por la brecha de rendimiento que existe entre la DRAM y la memoria de cambio de fase. En sus simulaciones han demostrado que CAHRAM puede lograr un rendimiento de entrada y salida de datos más elevado que otras arquitecturas de memoria PCM, con una vida útil mucho más prolongada y comuna mejor relación entre espacio disponible y energía consumida.

Más información

¿Cuál es el futuro del mercado de almacenamiento? ¿Qué tecnologías son las más adecuadas? Si quieres obtener más información sobre un segmento en crecimiento puedes visitar la página de nuestro colaborador Western Digital