Nueva estructura de celdas para la memoria de cambio de fase
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Un equipo de investigadores de China ha desarrollado una nueva estructura de celdas para la memoria de cambio de fase. Afirman que su diseño permite construir chips multinivel con una mayor densidad de celdas sin comprometer la confiabilidad, ofreciendo soluciones para las aplicaciones emergentes de la tecnología PCM.
La memoria de cambio de fase o PCM (Phase Change Memory) se basa en materiales que cambian entre un estado cristalino y uno amorfo, y su desarrollo ha avanzado con la introducción de estructuras de celdas multinivel. Esto ha permitido aumentar la densidad de almacenamiento en esta memoria, pero los expertos afirman que la confiabilidad puede verse afectada a causa del efecto de deriva de la resistencia. Hasta el momento se han desarrollado varias tecnologías de lectura y escritura para garantizar la fiabilidad de los datos, pero solo son capaces de mitigar los efectos una vez que se produce una deriva de la resistencia.
Ahora, un amplio equipo de investigadores de la Academia de Ciencias de China y de la Academia de Ciencias de la Universidad de China acaba de presentar una nueva tecnología que pretende resolver este problema. Se trata de un nuevo circuito de estructura 2T2R que permite aumentar la densidad de almacenamiento mediante celdas de memoria PCM multinivel, y que reduce de forma significativa la deriva de resistencia.
En el artículo que han publicado en la revista Micromachines, explican que para realizar un almacenamiento de 3 bits por celda han seleccionado una amplia gama de resistencias como diferentes estados de memoria de cambio de fase. Además, han propuesto un esquema de codificación de comprensión 4:3 que transforma los datos de salida en estados de datos binarios.
Sus pruebas demuestran que su estructura 2T2R ha permitido optimizar la densidad de almacenamiento y la confiabilidad de los datos al monitorizar la distribución de conductancia en cuatro puntos de tiempo (1 ms, 1 s, 6 h, 12 h) en 4.000 dispositivos. En sus simulaciones han demostrado que la deriva de resistencia de la estructura 2T2R puede mejorar significativamente la densidad de almacenamiento multinivel y aumentar la confiabilidad de los datos en la memoria de cambios de fase.
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