Nuevos diseños de electrodos para la memoria de cambio de fase

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Expertos en ingeniería informática y nuevos materiales han establecido una relación directa entre el ancho de la capa de electrodos que conecta las celdas de memoria de cambio de fase y el consumo y rendimiento de estos chips. En base a sus investigaciones han determinado que las arquitecturas de PCM basadas en electrodos de tipo BEC con menos grosor reducen el consumo con respecto a las tradicionales celdas en forma de T.

La memoria de cambio de fase suscita mucho interés en la industria tecnológica por su potencial para convertirse en la sustituta de la memoria de trabajo y de almacenamiento, y se considera una de las más adecuadas para las aplicaciones emergentes de computación en memoria. Los ingenieros continúan trabajando para perfeccionar esta tecnología, y se plantean cambios fundamentales en las arquitecturas que existen hasta el momento.

Uno de estos cambios proviene del diseño de los electrodos que conectan las celdas de memoria. Tradicionalmente se construyen estos chips con celdas en forma de T, pero se ha propuesto el uso de una capa de electrodos inferior, denominada BEC (Bottom Electrode Contact) que permite construir los chips de otra forma y tiene potencial para reducir el consumo energético de las operaciones de programación.

Un equipo de investigadores de la Academia de Ciencias de China ha profundizado en la naturaleza de esta nueva tecnología, y ha determinado que el contacto con esta hoja de electrodos puede reducir la corriente de programación de a memoria de cambio de fase, minimizando el consumo de energía en comparación con las celdas típicas, construidas en forma de T.

Afirman que controlando el ancho de la capa de electrodos en el proceso de deposición de material que se usa en la fabricación se puede hacer que su tamaño supere el límite de la fotolitografía. Al hacerlo se logra que este tipo de electrodos necesiten un menor consumo de energía y con sus datos han logrado relacionar el ancho del BEC con el consumo energético.

Y han construido un modelo teórico con el que han podido verificar sus hallazgos simulando la distribución del campo de temperatura interna. Como resultado, han probado la vida útil de las celdas de memoria PCM con diferentes anchos de electrodo, datos que permitirán mejorar el diseño de la memoria de cambio de fase en el futuro.

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