Se cierra el acuerdo para construir una nueva fábrica de memoria en Japón

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Fabrica de Memoria Fab7 - Yokkaichi - Kioxia WD

El proyecto común de dos importantes proveedores de memoria para construir una nueva línea de producción en Yokkaichi acaba de dar su primer paso importante, con la formalización final del acuerdo entre las partes para construir la primera fase. Si todo va como está previsto, estas instalaciones comenzarán a producir chips en otoño de este año, contribuyendo a incrementar la disponibilidad de tecnologías de almacenamiento de última generación.

Durante los últimos 20 años los fabricantes Kioxia y Western Digital han mantenido una relación de colaboración exitosa, manteniendo operaciones conjuntas de fabricación y compartiendo tecnologías de almacenamiento de datos. Hace algunos meses anunciaron un proyecto para construir una nueva línea de producción en la planta de Yokkaichi, en la prefectura de Mie (Japón), y ahora han anunciado la formalización final de su acuerdo, que permitirá pasar a la siguiente etapa.

Según sus planes las nuevas instalaciones, conocidas como Fab7 (Y7), comenzarán la producción en otoño de 2022, y se dedicarán a la fabricación a escala de productos de memoria NAND Flash. Esto contribuirá a reforzar la posición de estar marcas y la capacidad de la industria en Japón, incrementando la competencia con los fabricantes coreanos, que actualmente lideran el mercado mundial.

En palabas del Dr. Siva Sivaram, presidente de Tecnología y Estrategia de Western Digital, esta asociación estratégica “ha llevado a la introducción de tecnología de vanguardia al mismo tiempo que aumentar la escala de las capacidades de fabricación e I+D”. Esperamos continuar impulsando juntos el éxito a largo plazo”.

En su anuncio los representantes de ambas compañías han explicado que esta nueva instalación será la sexta dentro de la planta de Yokkaichi, lo que la situará como la fábrica de memoria flash más grande del mundo. En su primera fase, Y7 se dedicará a la producción de memoria 3D NAND flash de 112 y 162 capas, y en el futuro a las siguientes generaciones de chips con más capas.

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