Inician las obras de una nueva fábrica de memoria NAND Flash

Se acaba de anunciar que en el mes de abril comenzará la construcción de una nueva fábrica de memoria NAND flash de Kioxia, denominada Fab2, que se situará junto a la ya activa Fab1, en Kitakami (Japón). Según han explicado sus responsables en un comunicado la nueva fábrica se dedicará a la producción de su memoria 3D BiCS flash, operaciones que podrían comenzar a partir de algún momento de 2023, cuando finalicen las obras.

Esta nueva planta empleará tecnología basada en inteligencia artificial para optimizar al máximo la producción de chips de memoria y para mejorar la calidad del producto final. Con ello la empresa quiere mejorar su competitividad y la disponibilidad de sus productos de almacenamiento de última generación en un mercado que se verá impulsado por la expansión acelerada de los servicios en la nube, la IA, IoT, 5G, la conducción autónoma, el metaverso y otras tecnologías que demandan más almacenamiento de estado sólido.

Siguiendo con la estrategia tradicional en el país, el edificio contará con sistemas que lo harán resistente a los terremotos y apostará por un diseño ecológico basado en equipos de fabricación altamente eficientes y se alimentará de energía renovable. 

Nobuo Hayasaka, presidente y director ejecutivo de la compañía, comenta que “la construcción de Fab2 es un hito clave para que Kioxia fortalezca aún más nuestra capacidad estratégica de desarrollo y producción de productos de memoria avanzados, de modo que estaremos en una posición competitiva aún mejor para abordar la creciente demanda del mercado de productos de memoria”.

Esta nueva fábrica más sostenible y eficiente servirá como modelo de cara a un futuro en el que la industria de memoria apostará cada vez más por la fabricación inteligente. Y actualmente muchas voces especulan sobre la posibilidad de que la marca busque una colaboración con el fabricante de dispositivos de almacenamiento HDD y SSD Western Digital, con el que ya colabora en otras instalaciones.

Recientemente su empresa conjunta se ha visto afectada por una contaminación que ha reducido su capacidad de producción, pero hasta ese momento ha contribuido de forma decisiva a garantizar la capacidad de producción de memoria de nueva generación de ambos fabricantes. En cualquier caso, su objetivo será mejorar su competitividad en un mercado en el que nuevos jugadores como SK Hynix están ganando peso gracias a la adquisición de fábricas de memoria NAND flash.

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