Nueva técnica para mejorar la eficiencia de los dispositivos MRAM

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Científicos norteamericanos y taiwaneses han desarrollado una nueva técnica basada en la espintrónica que permitiría fabricar una memoria MRAM más flexible y eficiente. Han encontrado una forma más eficiente de modular las fuerzas magnéticas en heteroestructuras basadas en los compuestos de nueva generación que está empleando la industria, y que podrían revolucionar el campo de la memoria magnetorresistiva.

La investigación sobre memorias no volátiles está avanzando en diversas vías, y una de ellas es la de memoria magnetorresistiva de acceso aleatorio (MRAM), que promete ser una alternativa viable a la DRAM actual para muchas aplicaciones. La investigación de esta tecnología es muy prometedora y muchos académicos están trabajando en el desarrollo de dispositivos que puedan tener una aplicación comercial, pero todavía quedan barrera a superar para lograrlo, tanto en los materiales magnéticos como en la manipulación de las fuerzas de giro y órbita magnética.

Este ha sido el campo de estudio de un nutrido grupo de investigadores de la Universidad de Stanford y del fabricante taiwanés de semiconductores TSMC, que han desarrollado una nueva forma de modular el torque de espín-órbita (SOT) que se puede aplicar a diferentes campos de la informática, aunque se han enfocado especialmente en la memoria MRAM.

Para ello han basado su trabajo en las nuevas clases de materiales, como los antiferromagnéticos, los aisladores topológicos y los semimetales, que pueden generar espines con polarización no convencional y mejorar la eficiencia de la conmutación SOT. En su artículo, publicado en APL Materials, describen su hallazgo de cambios significativos en los SOT en soportes magnéticos formados por heteroestructuras de Pt/Co/Mg/CoFeB cubiertas por una película delgada de Cobalto.

Tras insertar esta película de Co con anisotropía perpendicular (PMA) débil se ha logrado mejorar el desempeño de las operaciones de modulación de SOT, y los expertos afirman que esto permitirá polarizaciones de espín más flexibles y eficientes para los dispositivos de memoria MRAM. Teniendo en cuenta quienes son los autores de este trabajo, cabe esperar que la investigación continuará para seguir mejorando las tecnologías de memoria magnetorresistiva emergentes, en busca de aplicaciones en la industria informática.

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