Memoria resistiva de alta velocidad con puntos cuánticos

  • Noticias y Actualidad

semiconductores

La memoria resistiva tiene un gran potencial como sustituto de varias tecnologías muy extendidas y los últimos avances en esta tecnología ya permiten superar los límites de rendimiento actuales. Pero todavía presentan un elevado consumo y poca resistencia, entre otros problemas, algo que un nutrido grupo de científicos afirma haber solucionado, aplicando lo que denominan puntos cuánticos de disulfuro de molibdeno a dispositivos de conmutación resistivos.

El almacenamiento de grandes volúmenes de datos que deben ser accesibles a alta velocidad supera la capacidad de los discos duros magnéticos más rápidos, por lo que se recurre a costosos sistemas de datos basados en memoria flash. Pero otras tecnologías pugnan por hacerse un hueco en la nueva era del conocimiento, y una de las más prometedoras es la memoria de conmutación resistiva, que según sus impulsores puede superar el rendimiento de las tecnologías establecidas.

Uno de los enfoques que más interés está generando es la memoria resistiva de acceso aleatorio (RRAM), que puede alcanzar un rendimiento superior a la DRAM convencional. Pero las tecnologías desarrolladas hasta la fecha adolecen de ciertos problemas como un elevado voltaje de conmutación, que incrementa el consumo, una distribución aleatoria del voltaje, una amplia variación en los estados de resistencia y poca durabilidad.

Para superar estos desafíos un amplio equipo de científicos de diferentes universidades y centros de investigación de China han desarrollado un nuevo enfoque para mejorar la memoria de conmutación resistiva. En su trabajo, publicado en Applied Physics Letter, explican que han aplicado lo que denominan puntos cuánticos de disulfuro de molibdeno a los dispositivos de conmutación resistiva. Con ello afirman haber logrado aumentar el rendimiento, reducir y unificar los voltajes empleados en la conmutación y distribuir uniformemente los estados de resistencia. Además, han logrado mejorar la resistencia de la memoria y agrandar las relaciones de encendido y apagado.

En su artículo comentan que han logrado esta optimización del rendimiento a causa de la convergencia de a distribución del campo eléctrico alrededor de los puntos cuánticos de disulfuro de molibdeno, mejorando la formación de filamentos conductores localizados. Afirman que su enfoque permitirá construir nuevas tecnologías de memoria RRAM, y creen que se puede aplicar a otras variantes de memoria resistiva, como la destinada al almacenamiento de datos.