La tecnología ReRAM quiere conquistar el trono de flash
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Con unas prestaciones teóricas muy superiores, un consumo energético más bajo y una mayor durabilidad, la Memoria de Acceso Aleatorio Resistiva (ReRAM) se presenta desde sus orígenes como el futuro sustituto de la memoria Flash. Aunque todavía queda tiempo para que esto pueda hacerse realidad, las empresas que trabajan en esta tecnología afirman que este momento está más cerca de lo que parece.
Desde que se concibió la tecnología de Memoria de Acceso Aleatorio Resistiva (ReRAM), allá por 20212, sus impulsores han afirmado que acabaría sustituyendo a la memoria Flash. Las ventajas que prometen los inventores de este tipo de memoria, y que ahora están tratando de poner en valor, son que la ReRAM podría ser hasta 1.000 veces más rápida que la memoria Flash, hasta 1.000 veces más eficiente en e uso de energía y hasta 100 veces más duradera que los actuales chips empleados en los SSD.
En una reciente entrevista publicado en el medio Storage Newsletter, Coby Hanoch, CEO de Weebit Nano, una empresa que desarrolla memoria ReRAM, comentó eu actualmente el mercado de memoria no volátil (NVM) tiene un valor estimado de 60.000 millones de dólares, y se espera que crezca con mucha rapidez en los próximos años. Las estimaciones que ofreció son de unos 82.000 millones para 2023 y de unos 100.000 millones para 2025, lo que muestra claramente cómo el almacenamiento de datos de alta velocidad está convenciendo a la industria de informática y a los consumidores finales, que están recurriendo a unidades SSD para un volumen creciente de usos, salvo para el almacenamiento de grandes volúmenes de datos.
Eses el mercado en el que pretende irrumpir la tecnología ReRAM, con soluciones de almacenamiento de alta velocidad. Pero según Hanoch, el target más suculento para la industria, tanto por su volumen como por su índice de reposición de unidades, es el de las grandes granjas de almacenamiento NVM. Y entre ellas hay algunas grandes firmas chinas, que proporcionan almacenamiento de datos de alta velocidad para una amplia variedad de usos y clientes. En su opinión, el intento de Estados Unidos de bloquear la industria tecnológica china ha alentado a este tipo de empresas en el país, que están aumentando su huella TI en la región.
En la entrevista, Hanoch indica que el 60% de lo que consumen estas empresas proviene de los proveedores Samsung y SK Hynix, que son los dos líderes de la industria de memoria y ellos, como representantes de los fabricantes de ReRAM, quieren adentrarse más en este suculento mercado. Por ahora, están logrando vender cantidades limitadas de su tecnología a este tipo de clientes, que están interesados en probar las innovaciones que surgen en la industria para estar siempre en la vanguardia, ya que su mercado es altamente competitivo. Así, se espera que en la próxima década ReRAM logre capturar un creciente volumen de mercado, primeramente en aplicaciones de memoria integrada, pero posteriormente acabará entrando en segmentos de dispositivos independientes de almacenamiento.
