Lanzan un nuevo tipo de memoria universal
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Tradicionalmente, la memoria ha servido o para almacenar datos o para suministrar información al procesador de una computadora, pero la industria parece decidida a crear una tecnología que sirva para ambos usos. Uno de los últimos desarrollos que han visto la luz es el de la conocida como UltraRAM, que reúne las ventajas de las memorias NAND y DRAM, sin los inconvenientes que presentan estas dos tecnologías.
El concepto de la memoria llamada UltraRAM, que han desarrollado los científicos de la Universidad de Lancaster, es un tipo de NVRAM que formaría parte de lo que se considera como memoria universal. Esta tecnología consiste en un tipo de memoria de estado sólido de carácter no volátil, con un rendimiento que se acerca al de la DRAM actual. Además, como sucede con otras memorias similares (RRAM, MRAM, 3D Xpoint…), no presenta las mismas limitaciones de la DRAM en cuanto a la capacidad máxima que se puede instalar en su uso como memoria de trabajo.
El equipo de física de esta Universidad ha logrado desarrollar su propio dispositivo de memoria universal, pero enfocándolo no solo a los servidores y estaciones de trabajo, sino también a los dispositivos móviles y equipos informáticos de consumo. Así, la UltraRAM se podría usar en un mismo dispositivo como memoria de almacenamiento o de trabajo, conmutando entre un uso y otro de forma sencilla y eficiente.
En el último artículo publicado por estos investigadores en la revista Transactions on Electron Devices se explica cómo en este tipo de memoria las propias celdas individuales pueden conectarse entre sí para crear una matriz de memoria de trabajo o de almacenamiento. Aunque parece algo quimérico, los investigadores afirman que en este uso logran un rendimiento hasta 100 veces superior al de la DRAM actual, y además a través de memoria no volátil.
Segú señaló el profesor Manus Hayne, líder de esta investigación en la Universidad de Lancaster, “el trabajo publicado en este nuevo documento representa un avance significativo, proporcionando un plan claro para la implementación de la memoria UltraRAM”. Para lograr este gran hito los científicos afirman haber resuelto la paradoja de la memoria universal, explotando un efecto de la mecánica cuántica denominado túnel resonante, que permite que una barrera cambie de opaco a transparente mediante la aplicación de un pequeño voltaje.
Además, describen un mecanismo de lectura de celdas que mejoraría el contraste entre los dos estados lógicos en muchos órdenes de magnitud, lo que permite la creación de matrices grandes y con una altísima densidad de bits, gracias a las capacidades de la tecnología de barreras de túnel resonante. Además, consumiría hasta cien veces menos energía en el proceso de conmutación entre transparente y opaco que en el cambio de bits de “1” a “0” en la memoria de estado sólido actual.
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