Mejoras en el proceso de borrado de la memoria de cambio de fase

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El futuro de los nuevos formatos de memoria de cambio de fase (PCM) parece prometedor, pero la industria necesita optimizar algunos aspectos de la tecnología para mejorar su desempeño. Uno de los problemas inherentes a estos chips es que el borrado de una celda perturba el contenido de las adyacentes, un campo en el que está trabajando un grupo de investigadores norteamericanos, con resultados prometedores.

La tecnología de memoria de cambio de fase se está posicionando como una de las mejore para sustituir a los actuales formatos de memoria DRAM y NAND en ciertos casos de uso. Ejemplos de ello se encuentran en tecnologías ya muy probadas, como son los chips 3D Xpoint de las memorias Optane de Intel, y también en los productos de algunos competidores. Estas memorias ofrecen un rendimiento mucho mayor que NAND, pero uno de los usos que más interesa a la industria es de cara a sustituir a la DRAM, ya que no se ve afectada por las limitaciones de capacidad que esta tiene.

Pero en el proceso de desarrollo de mejores memorias de cambio de fase los fabricantes se encuentran con ciertos problemas que impiden que alcance su máximo potencial. Un ejemplo es el proceso de “reseteado” de las celdas, que deja su contenido “a cero”. Para llevar a cabo este proceso, análogo al que se realiza en las memorias NAND Flash, se aplica una elevada temperatura en la celda, un procedimiento que afecta a las celdas adyacentes que se encuentran vacías.

Esto no genera retrasos de por sí en el proceso de borrado, pero sí afecta a la escritura de datos en estas celdas afectadas por la disipación del excedente de calor del proceso de borrado. Con el fin de resolver este problema un grupo de científicos de la Universidad de Kentucky acaba de publicar los resultados de un trabajo de investigación en el que proponen una forma de mejorar el proceso de “reseteo” de las celdas en la memoria PCM.

Su enfoque es realizar operaciones de Reset parciales a baja temperatura, que requieren una disipación de calor mucho menos, que en principio no tiene efectos perceptibles en las celdas de memoria cercanas. Esto impide que se produzcan errores de perturbación de escritura cuando se quiere escribir un dato en esas celdas, mejorando el desempeño del sistema.

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