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Nace una nueva memoria de clase de almacenamiento

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En el último año los fabricantes se han esforzado para dar sus primeros pasos en la tecnología de memoria persistente, siguiendo la estela que deja Intel con sus productos Optane. Ahora, Toshiba acaba de presentar su propia memoria de clase de almacenamiento, denominada XL-Flash, con la que pretende abordar los mercados de infraestructura TI para aplicaciones de alto rendimiento.

Aunque los formatos de memoria de estado sólido “convencionales” continúan su evolución para incrementar la potencia con un menor coste, la industria está explorando nuevas soluciones que permitan equilibrar mejor estas características, manteniendo cotas de rendimiento elevadas y reduciendo los costes de fabricación. Por ahora, es imposible lograr la velocidad de la DRAM en una memoria persistente, (que no necesita corriente para mantener los datos), pero poco a poco los fabricantes están evolucionando las conocidas como Memorias de Clase de Almacenamiento, logrando resultados cada vez más convincentes.

El último en hacerlo ha sido Toshiba, que acaba de presentar su memoria XL-Flash, una tecnología basada su memoria 3D BiCS Flash, con capacidad par almacenar un bit por celda (SLC). Esta nueva memoria, según sus creadores proporciona un abaja latencia y un rendimiento  adecuado para su aplicación en los centros de datos y en plataformas de almacenamiento empresarial.

Las ventajas de esta nueva memoria son, al igual que las soluciones existentes como Intel Optane, un mayor rendimiento que la memoria NAND Flash, cercano al de la DRAM, con la capacidad de retención de memoria y un coste y consumo energético más bajos que la DRAM.
Por el momento, la compañía tiene programados los primeros envíos de muestras para septiembre de este año, con planes de lanzar l producción masiva para algún punto de 2020. En principio, quieren lanzar unidades con formato SSD, pero esperan desarrollar módulos compatibles con los canales de memoria de trabajo, de tipo NVDIMM, pudiendo sustituir o complementar a la DRAM actual en servidores y plataformas de almacenamiento empresarial.

En palabras de Scott Nelson, vicepresidente senior y gerente de memoria de Toshiba Memory, “Con XL-FLASH, estamos brindando a los hiperescaladores y proveedores de servidores y almacenamiento empresarial una solución de almacenamiento de menor latencia y más rentable, que cierra la brecha entre el rendimiento DRAM y NAND”. Pero añadió que “También estamos abriendo la puerta a tecnologías emergentes y estándares de la industria que permitirán diferentes factores de forma para soluciones de memoria flash de baja latencia”.

Según dijo en su comunicado oficial, creen que el mercado SMC ya está listo para crecer y pronostican que alcanzará un valor de más de 3.000 millones de dólares para el año 2022. Y apuntó que “SCM es la próxima frontera para el almacenamiento empresarial, y nuestro papel como uno de los proveedores de memoria flash más grandes del mundo le da a XL-FLASH una ventaja de costo/rendimiento sobre las soluciones SCM de la competencia”.

Más información

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