Nace una nueva tecnología de memoria de alto rendimiento
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El fabricante SK Hynix está desarrollando su propia versión de Memoria de Clase de Almacenamiento, que en un futuro próximo entrará a formar parte de la oferta de este tipo de memoria. Sus primeros desarrollos indican que podrán crear unidades de 128 Gb de capacidad, que competirán con tecnologías como Optane, de Intel, o Z NAND, de Samsung.
El almacenamiento empresarial está en constante evolución y en los últimos años el segmento de máximas prestaciones ha visto nacer varias tecnologías que se conocen como Memoria de Clase de Almacenamiento (SCM). Se trata de memoria de estado sólido con una arquitectura diferente a las NAND flash convencionales, que ofrecen un rendimiento superior y que, además, tiene como objetivo ser usadas tanto para el almacenamiento como para la memoria de trabajo de los servidores y otros equipos.
El principal ejemplo es 3D xPoint, desarrollada por Intel y Micron, que se ha materializado en los productos Intel Optane, que ya se utilizan en plataformas computación de alto rendimiento, gracias a los modelos pensados específicamente para los centros de datos. Estos incluyen memoria que complementa a la DRAM convencional, y soportes de almacenamiento de máxima velocidad.
Tras romperse la asociación entre estos dos fabricantes, Micron ya ha anunciado su hoja de ruta para lanzar sus propios productos 3D Xpoint, que entrarán en competencia con los de su antiguo partner Intel. Por su parte, Samsung ha desarrollado su tecnología Z NAND, y ya lanzado productos altamente competitivos, aunque esta tecnología se podría considerar como una versión de la clásica tecnología NAND, en la que esta marca es líder del mercado.
Ahora, otro de los grandes de la industria de memoria basada en silicio, SK Hynix, ha anunciado una nueva tecnología, similar a 3D xPoint, que cuando esté lista entrará a formar parte la oferta global de memoria SCM. Según han publicado en diversos medios, como The Register, todavía se encuentra en fase de investigación y desarrollo, pero este fabricante ya ha mostrado su solidez cuando decide apostar por una nueva tecnología, y ya ha mostrado estas intenciones durante el último evento IEDM, celebrado en San Francisco.
En este documento se habla de una memoria de “punto de cruce” de alto rendimiento, que se basa en un esquema de autoalineación para conformar una memoria SCM de 128 Gb. Esta tecnología de memoria no volátil, al igual que las que ya existen o que están en investigación, promete una velocidad muy superior a la memoria flash actual que, aunque más lenta que la DRAM actual, es mucho más económica y más escalable. Esta constaría de dos capas con materiales de cambio de fase integrados en un dispositivo selector de calcogenuro, un material similar al vidrio.
Esta forma de memoria se basa en las propiedades de cristalización reversible del material, que cambia de estado amorfo a cristalino, mediante una corriente eléctrica. Y su arquitectura es mucho más compleja que la de la memoria flash, y se basa en estructuras que se cruzan en las tres dimensiones, creando una red tridimensional donde se almacena la información.
El diseño de SK Hynix, que tiene muchas similitudes con el de Intel-Micron, ofrece perspectivas prometedoras en cuanto a rendimiento, baja latencia y alta resistencia y, según sus creadores, permitirá crear productos con capacidad de 128 Gb, que posteriormente irán aumentando la densidad de datos.
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