La memoria de cambio de fase eleva las prestaciones del almacenamiento empresarial
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Diferentes tecnologías de memoria pretenden conquistar el mercado del almacenamiento empresarial de máximo rendimiento, y una de las más prometedoras es la memoria de cambio de fase. Esta, especialmente la conocida como de punto de cruce 3D, propone una alternativa solvente a la actual memoria 3D NAND basada en silicio, y en un futuro cercano podría hacerle competencia.
El desarrollo de la informática está derribando constantemente las barreras establecidas, haciendo que determinadas tecnologías evolucionen a gran velocidad, sustituyendo a las anteriores. Es el caso de la memoria de almacenamiento, un campo en el que nada es suficiente, tanto en términos de capacidad como de rendimiento. Actualmente, los fabricantes de HDD tradicionales están luchando por mantenerse como la mejor opción en términos de capacidad, ya que en rendimiento han perdido la batalla frente a los SSD.
Pero, a su vez, la memoria de estado sólido actual se enfrenta a nuevos competidores, que prometen mejoras enormes con respecto a las tecnologías basadas en el silicio, como 3D NAND flash. Entre las diferentes propuestas de memorias de estado sólido de alto rendimiento, una de las más prometedoras es la conocida como memoria de cambio de fase, en la que los datos son almacenados en una estructura de cristal capaz de cambiar su estructura, celda a celda, al aplicarle una determinada corriente eléctrica.
Esta tecnología ha ido evolucionando desde hace aproximadamente una década, cuando los investigadores comenzaron a realizar logros importantes en este campo. Y ahora, con la nueva memoria de cambio de fase de puto de cruce 3D, sus desarrolladores están planteando una alternativa a los chips convencionales de memoria flash, que verdaderamente podría competir en el mercado. Esta combina la tecnología de cambio de umbral ovónico (OTS) con la tradicional memoria de cambio de fase (PCM), en una matriz de punto de cruce tridimensional que permite aumentar la capacidad de almacenamiento por chip.
Esta combinación de tecnologías en una arquitectura tridimensional ofrece prestaciones mejoradas y, gracias a la utilización de nuevos materiales, se ha logrado solventar en cierta medida el problema del umbral de temperatura en el que pueden trabajar los chips, que era una de las principales limitaciones de esta tecnología. Por ello, y tras las últimas pruebas realizadas por los investigadores en este campo, cabe esperar que la nueva generación de memoria de cambio de fase 3D cross-point logre hacerse un hueco en el segmento emergente de memoria de clase de almacenamiento (SCM).
Este engloba otras tecnologías como la RAM magnetoresistiva (MRAM) o los propios chips de memoria 3D XPoint de Intel, entre otras, que están tratando de conquistar el mercado de memoria de máximo rendimiento para servidores, centros de datos e infraestructuras de computación de alto rendimiento (HCP).
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