Memoria STT-MRAM más compacta y eficiente
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Científicos de la universidad japonesa de Tohoku han desarrollado una tecnología de memoria STT-MRAM más compacta y eficiente, perfecta como memoria caché para los discos SSD de nueva generación. Para ello han empleado tecnologías de proceso más miniaturizadas y un sistema de reducción de errores más eficaz, que promete acelerar la velocidad de lectura en unidades SSD.
Los SSD modernos ofrecen un rendimiento sin igual, pero en las aplicaciones empresariales más avanzadas se exige aún más, y para ello los fabricantes emplean sistemas auxiliares de memoria caché, con tecnologías más rápidas que la RAM convencional. En los últimos años algunos de los diseñadores de SSD más innovadores han integrado memoria STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetoresistive RAM), modernos chips basados en la espintrónica que ofrecen una velocidad espectacular y características propias de la memoria de trabajo no volátil.
Esta solución está demostrando un gran potencial de cara al futuro, sobre todo en unidades en las que se requiere la máxima velocidad en el acceso a los datos, y los investigadores siguen trabajando en mejorar esta tecnología. Un ejemplo de ello es el trabajo publicado recientemente por un nutrido equipo de investigadores de la universidad de Tohoku, en Japón. En él detallan el desarrollo de una nueva memoria STT-MRAM basada en procesos de fabricación CMOS de 40 nanómetros y MTJ de 37 nanómetros, en un tamaño muy inferior a los diseños anteriores.
Esto permite mejorar el rendimiento en menos espacio físico, algo fundamental para las aplicaciones de almacenamiento integrado de alta velocidad. Además, para garantizar su fiabilidad en entornos empresariales, donde los estándares son más rigurosos, los investigadores han implementado un circuito de reducción de errores de bit más eficaz, basado en un generador de voltaje de referencia promediado (Vref).
Para probar su diseño, los investigadores han realizado numerosas simulaciones y, finalmente, han fabricado un chip STT-MRAM de 128 Mb que ha demostrado un funcionamiento correcto y una gran tolerancia a las variaciones de voltaje gracias al generador Vref, proporcionando un tiempo de acceso de lectura de 30 nanosegundos. Esto abre las puertas a su aplicación en unidades SSD de alto rendimiento, enfocándose principalmente a plataformas de computación de categoría empresarial.
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