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Investigadores indios siguen trabajando en una nueva memoria de MRAM

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El trabajo que están realizando en el Instituto Indio de Tecnología (ITT) persigue la creación de una nueva Memoria de Acceso Aleatorio Magnetorresistiva (MRAM). En su opinión, esta tecnología podría ofrecer soluciones a la creciente necesidad de espacio y rendimiento en el acceso a los datos, a través de una memoria que se podría usar tanto en servidores como en teléfonos móviles.

El desarrollo de tecnologías de almacenamiento sigue diferentes cursos, y uno de ellos es la creación de lo que se conoce como RAM Magnetorresistiva (MRAM), una de las tecnologías de memoria que aprovecha las ventajas de la DRAM convencional y la memoria NAND. Sus beneficios potenciales son una velocidad similar a la de la DRAM con la no volatilidad de los datos, lo que permite el almacenamiento de información sin generar un consumo de energía.

Diferentes instituciones académicas y empresas de la industria están trabajando en el desarrollo de la MRAM, y una de ellas es el Instituto Indio de Tecnología (IIT), donde sus investigadores están realizando importantes avances para hacer realidad esta tecnología. Según acaban de informar, se encuentran en proceso de patentar una memoria espintrónica basada en la tecnología SST, que constituirá uno de los primeros dispositivos de memoria MRAM.

En una reciente publicación, sus creadores explican que “las soluciones de memoria universal deben tener alta densidad de almacenamiento, operabilidad ultrarrápida y no volatilidad, es decir, capaces de retener datos incluso cuando no hay energía. Esta necesidad es particularmente relevante en los tiempos modernos ya que se espera que la abundancia de dispositivos digitales genere grandes volúmenes de datos que requerirán 1 billón de discos duros en funcionamiento constante para 2024”.

Esta memoria universal logra aprovechar el magnetismo de nuevas formas, utilizando no solo la carga magnética sino la dirección de giro de los electrones para registrar información.  Según sus apreciaciones, este avance tendrá cabida en diferentes campos tecnológicos, desde los dispositivos móviles a los centros de datos, y generará una gran disrupción en el campo de la informática, ya que combinará en un único dispositivo la memoria de trabajo y la de almacenamiento.

En el artículo del IIT, Satinder K. Sharma, profesor asociado de este instituto indio, dijo que “la RAM de semiconductores existente no puede satisfacer las demandas masivas de almacenamiento de datos. De hecho, los expertos en ciencia de datos predicen que la demanda de capacidad de memoria superará a la producción para fines de 2020”. Y comentó que, “los dispositivos STT-MRAM no son volátiles y tienen densidades de almacenamiento y resistencia mucho más altas que las tecnologías RAM basadas en CMOS actuales. Otra ventaja de este tipo de memoria es que pueden integrarse con tecnologías de memoria basadas en silicio convencionales, lo que resulta en un gran almacenamiento potencial”.

Y, como explicó Srikant Srinivasan, también profesor del IIT, sus dispositivos se han diseñado para mejorar el consumo energético en el trabajo con datos en los diferentes niveles de memoria, proporcionando ventajas adicionales de eficiencia. Según comentó, su propuesta tiene “una densidad de corriente de conmutación muy baja y una duración de conmutación de capa libre de menos de tres nanosegundos. Este es un comienzo muy prometedor y una mayor optimización los convertirá en candidatos potenciales para dispositivos RAM de próxima generación”.