Memoria RAM resistiva sensible a la irradiación con láser

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Expertos de un instituto de investigación alemán han realizado un estudio sobre la sensibilidad de las células de memoria RAM Resistiva a la irradiación con láser. Han descubierto que la exposición a esta luz puede influir en el estado resistivo de las celdas de memoria RRAM y afectar a la inyección de fallas ópticas, lo que permitirá seguir desarrollando este tipo de memorias resistivas no volátiles.

Entre las diversas tecnologías de memoria emergentes se encuentra la RAM resistiva, o RRAM, que tiene un gran potencial en el campo de las memorias de acceso aleatorio para plataformas informáticas de nueva generación. Por el momento se trata de una tecnología en una etapa temprana de desarrollo, y en la actualidad solo hay unos pocos diseños en uso, pero la industria continúa trabajando en mejorar los diseños y la tecnología empleada para escribir y leer los datos en estos chips.

Un ejemplo es el trabajo publicado en la revista Microprocessors and Microsystems, realizado por un grupo de investigadores del Institut für innovative Mikroelektronik, en Frankfurt (Alemania). En él detallan los resultados de una investigación sobre la sensibilidad de las celdas de memoria RRAM a la irradiación con láser. Concretamente, se han centrado en memorias resistivas 1T-1R basadas en TiN/Ti/Al:HfO2/TiN, implementadas en la tecnología CMOS IHP de 250 nm.

Sus resultados indican que la erradicación láser puede influir de forma notable en el estado resistivo de las celdas RRAM. Esto significa que esta fuente de energía permite inyectar con éxito fallas ópticas localizadas en estas celdas, grabando los datos de forma eficaz y precisa. Su trabajo pretendía encontrar los parámetros de configuración de la estación láser más adecuados para llevar a cabo el proceso de grabación mediante estas fallas ópticas.

Esta investigación contribuirá al avance de la tecnología RRAM, que todavía tiene mucho camino que recorrer para sustituir a las tecnologías actuales, y sus responsables seguirán trabajando para perfeccionar la tecnología de memoria resistiva, que todavía tiene mucho camino que recorrer para convertirse en una alternativa viable a nivel comercial, salvo para aplicaciones muy específicas.

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