Memoria flash de alta velocidad basada en heteroestructuras de Van der Waals

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Un amplio grupo de investigadores chinos ha desarrollado una nueva tecnología de memoria no volátil de alta velocidad basada en un compuesto de heteroestructuras de Van der Waals. Han empleado este material para diseñar una arquitectura flash modificada que proporciona velocidades de escritura y borrado de 20 nanosegundos, que sienta las bases de futuras memorias más rápidas que las actuales.

Las posibilidades de desarrollo de la memoria flash están lejos de agotarse, gracias al desarrollo de nuevo materiales y diseños que permiten mejorar el funcionamiento y acelerar la velocidad de lectura y escritura de datos. Un ejemplo son las conocidas como heteroestructuras de Van der Waals, una categoría de materiales compuestos que se mantienen unidos mediante esas fuerzas (de Van der Walls), adquiriendo una variedad de propiedades complejas derivadas de sus componentes, entre ellos compuestos de grafeno.

Estos materiales comparten propiedades con los semiconductores en determinadas condiciones, por lo que la industria está experimentando con ellos para, entre otras cosas, crear nuevas tecnologías de memoria flash. Un ejemplo es el trabajo presentado por un nutrido grupo de investigadores de diferentes universidades e institutos de investigación de China, que han desarrollado una memoria flash ultrarrápida no volátil basada en heteroestructuras de Van der Walls. Concretamente con una combinación de MoS2, hBN y grafeno multicapa.

Según sus experimentos, estos chips alcanzan una velocidad de escritura y borrado de 20 nanosegundos a través de un túnel de Fowler-Norheim modificado con dos barreras triangulares. Sus análisis teóricos y sus experimentos les llevan a postular que una altura de barrera adecuada, una relación de acoplamiento de puerta y una interfaz limpia son las principales características que han permitido incrementar la velocidad de escritura y borrado de este dispositivo.

Y consideran que los hallazgos derivados de este trabajo permitirán diseñar y fabricar nuevos dispositivos de memoria flash con más capacidad de retención de los datos y con un rendimiento superior en las operaciones que tradicionalmente se realizan más lentamente, como la escritura y el borrado de datos. Por ello, seguirán trabajando para perfeccionar su tecnología y construir nuevos chips con características superiores.

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