Nueva memoria flash multifuncional
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Ingenieros coreanos han desarrollado un nuevo concepto de memoria flash basado en disulfuro de molibdeno, válido para memorias de almacenamiento y trabajo con propiedades ópticas y electrónicas. Afirman que, basándose en esta tecnología, es posible fabricar dispositivos que combinan fotodiodos con funciones de memoria, que permiten la programación de memoria multinivel basada en la intensidad y la tonalidad de la luz.
En los últimos tiempos han surgido nuevos materiales bidimensionales como los dicalcogenuros de metales de transición (TMD), que exhiben propiedades muy interesantes para fabricar diferentes tipos de memoria. Uno de ellos es el disulfuro de molibdeno (MoS2), que se presenta como una opción válida para diferentes aplicaciones electrónicas, gracias a sus propiedades eléctricas mecánicas y ópticas.
Aprovechando este compuesto, un equipo de ingenieros de la Universidad de Sungkyunkwan y de la Universidad de Gachon, en Corea del Sur, han desarrollado un concepto de memoria flash basada en disulfuro de molibdeno con una capa flotante de PEDOT: PSS. Afirman que su diseño ofrece una relación de conmutación de 2,3x107, una ventana de memoria de 54,6 ± 7,80 V y una resistencia superior a los 1.000 ciclos. Gracias a la película PEDOT: PSS se puede realizar un proceso de recubrimiento en solución a baja temperatura y se logra una gran flexibilidad mecánica.
En su artículo explican que esto permite incrustar esta memoria en un sustrato de poliamida sobre otro de silicio rígido, lo que proporciona una gran resistencia mecánica, que han calculado en más de 1.000 ciclos de prueba de flexión. Además, dicen que tanto el disulfuro de molibdeno como la película de recubrimiento tienen unas propiedades que permiten la transmisión de la luz para su uso en operaciones de memoria optoelectrónica, donde los portadores de carga se almacenan de forma distinta en la puerta flotante, en función de la iluminación que les llegue.
Con todas estas propiedades, afirman que su propuesta de memoria supone una nueva forma de concebir este tipo de memoria, combinando fotodiodos y funciones de memoria. Y en sus experimentos han demostrado que se puede lograr una programación de memoria multinivel basada tanto en la intensidad de la luz como en el color de la misma, lo que proporciona más variables para el almacenamiento de datos. Por ahora se encuentran en una fase inicial, pero ya han podido fabricar la primera versión de esta tecnología en sus laboratorios, y se muestran optimistas por sus posibilidades de desarrollo en el futuro.
