Combinando el magnetismo con la óptica para construir memorias multinivel
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Un equipo de ingenieros y científicos chinos ha investigado a fondo las propiedades magnéticas y de fotorrespuesta de ciertos compuestos cristalinos de nueva generación. Gracias a ello afirman que se podría fabricar un nuevo tipo de memoria multifuncional y multinivel con conmutación bipolar resistiva y capacidad de respuesta mediante el magnetismo o impulsos ópticos.
El estudio de nuevos materiales para la fabricación de memoria avanza sin cesar, y los científicos están siguiendo numerosas líneas de investigación para crear nuevas tecnologías de memoria. Esto permitirá desarrollar soluciones específicas para diferentes ámbitos de aplicación, pensadas para el almacenamiento magnético, electrónico y óptico, y para otros usos como la memoria de trabajo o la memoria computacional. Existen muchas posibilidades a la vista, y una muy interesante es la memoria capaz de operar de varios modos.
Este es el campo de estudio que ha elegido un equipo de físicos e ingenieros de las universidades chinas de Anhui (Hefei) y Hubei Minzu (Enshi), en colaboración con la Fundación Nacional de Ciencias Naturales de China y la Fundación de Ciencias Naturales de la Provincia de AnHui. En la investigación que han publicado en la revista Applied Physics Letters explican que han profundizado en el funcionamiento de varios compuestos de nueva generación que se están empleando para la fabricación de soportes magnéticos y cristalinos capaces de almacenar datos.
Concretamente, han estudiado a fondo las películas delgadas de Co3O2 que se cultivan epitaxialmente en un sustrato monocristalino de SrTiO3 (NSTO) dopado con Nb, mediante un láser pulsado. Esto permite formar heteroestructuras de Pt/Co3O2/NSTO, que tienen un gran potencial en el campo de la memoria. En su investigación han hallado que estos dispositivos muestran una conmutación resistiva bipolar estable (RS) habilitadas para fabricar memoria multinivel, con una buena resistencia y una relación de encendido y apagado prometedora.
Explican que el estado de alta resistencia de esta tecnología muestra características marcadas de fotorrespuesta con un voltaje de circuito abierto, bajo la acción de un láser de 405 nanómetros. Y la película de Co3O4 presenta una capacidad de magnetización con una conmutación reversible asociada con determinados estados de resistencia. Según sus investigaciones, estos materiales se pueden utilizar para fabricar un nuevo tipo de memoria multinivel capaz de funcionar mediante conmutación óptica o magnética, lo que proporciona una versatilidad que podría tener aplicaciones en diferentes campos de la industria informática y electrónica.
