Crean una nueva memoria de trabajo no volátil de alta velocidad

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Las nuevas tecnologías de memoria no volátil permitirán superar la pérdida de datos que se producen en la DRAM cuando se corta la energía, aunque en muchos casos su rendimiento es inferior al de la memoria volátil. Esta es una barrera importante, que un equipo de científicos chinos cree haber resuelto, empleando una memoria de puerta flotante no volátil de alta velocidad, capaz de realizas operaciones en una escala de nanosegundos.

La memoria de trabajo que se emplea en los sistemas informáticos está basada normalmente en la tecnología DRAM, un tipo de memoria volátil que pierde la información cargada en las celdas cuando se corta el suministro de energía. Esto ha sido un problema desde sus inicios, pero sigue utilizándose porque es la memoria más rápida que existe. Aunque la industria ha estado explorando nuevas tecnologías de memoria no volátil para sustituirla, por el momento la mayoría de enfoques que están siguiendo los investigadores no logan alcanzar la misma velocidad de lectura y escritura.

Por ello, se han desarrollado otros enfoques como memorias de apoyo que actúan como una especie de caché no volátil basadas en chips 3D Xpoint, NAND Flash y otras tecnologías. Pero esto implica siempre más pasos, es decir, un factor más que ralentiza los flujos de datos. La investigación en el campo de la memoria de trabajo no volátil continúa, y ahora un nutrido grupo de científicos e ingenieros de varias universidades e instituto de investigación de china afirman haber desarrollado una nueva memoria no volátil que podría ser un sustituto viable para la DRAM.

En el artículo que han publicado en la revista Nature Nanotechnology explican que, a pesar de los grandes esfuerzos que se han realizado para desarrollar dispositivos de memoria no volátil de alta capacidad, confiabilidad y rendimiento mejorado, todavía no se ha logrado mejorar la tasa de extinción y la velocidad operativa. Esto se traduce en tiempos de escritura de cientos de microsegundos o de milisegundos, varios órdenes de magnitud por encima del gran rendimiento de la memoria volátil.

Para superar estas limitaciones han desarrollado un dispositivo de memoria de puertas flotantes no volátiles basadas en heteroestructuras de van der Waals, con “interfaces atómicamente nítidas entre diferentes elementos funcionales”. Según sus experimentos, esta tecnología ofrece una alta velocidad en las operaciones de programación y borrado de las celdas de memoria, en una escala de nanosegundos, y una tasa de extinción de hasta 1010. Y afirman que pueden aplicar esta tecnología para fabricar dispositivos de memoria de almacenamiento de varios bits por celda, lo que abre nuevos campos de investigación y desarrollo de memoria con alta capacidad y rendimiento, incluso más allá de la memoria de trabajo.