Nuevo método para la lectura y escritura de varios bits en la memoria no volátil

Algunas de las tecnologías de memoria no volátil más avanzadas de la actualidad están basadas en matrices de barras entrecruzadas, desde STTRAM (Spin Transfer Torque RAM) a RRAM (RAM Resistiva), pasando por otras memorias de trabajo de alta velocidad y baja latencia y consumo, que están desarrollándose para diferentes campos de la informática de nueva generación. Pero una de sus limitaciones actuales es que el ancho de banda disponible solo permite la lectura o escritura de un solo bit a la vez, para evitar errores. Aunque este problema no es inherente a la propia tecnología, y la industria está tratando de solucionarlo para elevar el potencial de esta memoria a otro nivel.

Un buen ejemplo es el trabajo recientemente publicado por un equipo de ingenieros de la Facultad de Ingeniería Eléctrica e Informática de la Universidad Estatal de Pensylvania. En él que ahondan en las metodologías que podrían utilizarse para habilitar la lectura y escritura de varios bits para las celdas de este tipo de memorias, compuestas por matrices de barras entrecruzadas, especialmente las de diodo-MTJ (Magnetic Tunnel Junction).

Tras su investigación han determinado una forma de lograrlo a través de un ajuste más preciso de la polarización de las celdas donde se va a escribir. Esto permite mejorar el margen de detección durante la lectura, reduciendo la trayectoria de fuga a través de estas celdas. Como indican sus pruebas, el resultado es que este sistema permite condiciones de lectura y escritura de varios bits de forma simultánea, sin que se generen perturbaciones, interferencias ni errores en los datos. Y sin incurrir en otros problemas que puedan generar fallos o un exceso de consumo energético.

Este trabajo sienta las bases para el desarrollo de grandes mejoras en los sistemas de memoria no volátil modernos, que serán una de las bases fundamentales de las plataformas de computación y almacenamiento del futuro. Todavía queda mucho trabajo por hacer para poder desarrollar estas capacidades, pero la propuesta de estos ingenieros resulta de gran interés para la industria, ya que ofrece nuevos caminos para la investigación y el desarrollo en los campos de memoria RRAM, STTRAM y otras tecnologías similares.