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Memoria basada en el carbono para aumentar la densidad de almacenamiento

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Científicos chinos han desarrollado un nuevo tipo de memoria de sonda basada en el carbono y un modelo computacional que predice su rendimiento de lectura, escritura y reescritura. Aunque todavía se encuentra en sus primeras etapas de desarrollo, sus creadores afirman que pueden construir un dispositivo de almacenamiento con una densidad muy superior a las tecnologías actuales.

Uno de los campos en los que se está trabajando para crear nuevas tecnologías de memoria de más rendimiento y capacidad es el de la memoria basada en sondas, que algunas importantes firmas tecnológicas ya han comenzado a trabajar en esta línea de investigación. En ella se combinan conceptos empleados en los actuales sistemas de memoria con tecnologías emergentes como la nanotecnología, los sistemas micromecánicos o los materiales de nueva generación.

Ahora, un equipo de ingenieros de la Universidad Nanchang Hang Kong, en Nanchang (China) ha publicado un trabajo en el que proponen un nuevo concepto de memoria de sonda resistiva basada en el carbono, que promete incrementar sustancialmente la densidad de almacenamiento que puede proporcionar esta tecnología. Para ello, además, han desarrollado un modelo computacional capaz de predecir el rendimiento de lectura, escritura y reescritura, que está gobernado por procesos electrotérmicos y de concentración de masa.

En su artículo afirman que esta tecnología es una de las soluciones más prometedoras para abordar los problemas de almacenamiento masivo en un futuro próximo. Aunque el tamaño de los datos que surgen de las memorias de sonda convencionales suele ser mayor que el tamaño de la propia sonda, a causa del efecto de difusión térmica. Para acabar con esta interferencia térmica y que estas sondas micromecánicas sean capaces de controlar el tamaño final de los datos en el soporte de grabación, han basado su tecnología en el carbono.

Como explican en su trabajo, este factor, junto con su modelo predictivo, permite lograr una mayor concordancia entre los voltajes de umbral calculados y los que se obtienen finalmente en diferentes espesores del material de grabación. Con su tecnología afirman que el tamaño de cada bit de datos está determinado directamente por el tamaño de la punta del cabezal de grabación de esta sonda de escala microscópica. Esta es un filamento conductor que tiene la capacidad de borrar cada bit para su posterior sobreescritura, con más eficacia que otros sistemas similares, y afirman que este sistema es capaz de mantener la integridad de los bits incluso si se reduce el “paso de bits” de los 28 nanómetros típicos a 25 nanómetros.

Aunque todavía existen ciertos problemas que resolver en el desarrollo de esta tecnología, como una intensa diafonía en la lectura de los datos, que reduce la densidad de grabación posible, esta innovación promete aportar mejoras sustanciales en la tecnología de memoria basada en sondas.

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