Inventan un nuevo soporte de almacenamiento en capas ultradelgadas
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Un equipo de investigadores de la universidad de Stanford ha desarrollado un método para almacenar datos en un soporte compuesto por láminas de metal de solo tres átomos de grosor. Mediante esta tecnología se pueden apilar numerosas capas para construir un sistema de almacenamiento de alta capacidad en muy poco espacio, que podría superar a las capacidades de los medios basados en el silicio.
La revista Nature acaba de publicar un trabajo realizado por un amplio equipo de investigadores, encabezados por científicos de la Universidad de Stanford, en el que proponen un nuevo sistema de almacenamiento en capas de material metálico de tan solo tres átomos de grosor. Además, esta tecnología permite apilar un gran número de capas, conformando un soporte de alta capacidad en un espacio mucho menor que el que ocupa cualquier chip de estado sólido actual, con un consumo energético menor.
La tecnología se basa en cambiar la posición relativa de tres capas de metal 2D, lo que permite incidir en el movimiento de los electrones y generar una codificación binaria controlada. El material en cuestión ha sido denominado ditellurida de tungsteno, y según sus desarrolladores ofrece las mismas propiedades eléctricas y de no volatilidad de la memoria flash, pero con ventajas adicionales. Aunque tareas como la lectura de los datos se basan en otros principios, como es la propiedad cuántica conocida como curvatura de Berry, que funciona como un campo magnético que se puede usar para manipular los electrones en estas capas.
Según explica el investigador del laboratorio Lindenberg Jun Xiao, uno de los principales responsables de este trabajo, hace falta muy poca energía para mover las capas, lo que se traduce en un menor costo de operación del dispositivo de almacenamiento, comparándolo con la memoria NAND Flash. Además, asegura que la velocidad a la que se puede grabar o manipular la información en este dispositivo es más de cien veces superior a la de las tecnologías usadas en la actualidad.
Según muestran los experimentos realizados por sus creadores, es posible crear u dispositivos altamente eficiente y de gran densidad de almacenamiento empleando esta tecnología. Esto sienta las bases de una nueva forma de memoria que podría encontrar su hueco en el campo de las memorias emergentes de carácter no volátil, que están en pugna por establecerse en las plataformas de computación de alto rendimiento de nueva generación.
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