Avances en la memoria basada en transistores ferroeléctricos

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Científicos chinos han desarrollado una tecnología de memoria basada en nuevos transistores ferroeléctricos que rompen con las limitaciones que impedían la construcción de chips no volátiles para el almacenamiento a largo plazo. Afirman que su invención permite conservar los datos durante 10 años, con un rendimiento que habilita la fabricación de chips con utilidad comercial.

Durante mucho tiempo la industria ha explorado las posibilidades de la memoria basada en transistores ferroeléctricos, pero se ha enfrentado a la imposibilidad de construir una memoria con la suficiente capacidad de retención de los datos. Estas limitaciones de volatilidad han llevado a muchos investigadores a seguir otros caminos, que han llevado al desarrollo de otras tecnologías de memoria no volátil con un gran rendimiento y durabilidad, como la memoria NAND y las nuevas tecnologías de memoria de clase de almacenamiento.

Pero ahora un equipo de investigadores de china afirma haber superado estos problemas, empleando una nueva generación de transistores ferroeléctricos. En el artículo que han publicado en la revista Nature Communications explican que han empleado celdas de memoria de transistores ferroeléctricos de larga retención, basadas en una “arquitectura de semiconductores de metal-ferroeléctrico-metal-aislante, construida a partir de monocristales de van der Waals”.

Empleando esta tecnología han sido capaces de construir una memoria con capacida de retención de hasta 10 años, que ofrece una velocidad de programación/borrado inferior a 5 picosegundos. Y que, con solo un pulso de 100 nanosegundos, es posible invertir la polarización en estas celdas, pudiendo alcanzar un nivel de operación de hasta 4 bits por celda. Esto se asemeja a las características de otras tecnologías de memoria de alta densidad que se emplean actualmente en la industria de discos duros, lo que resulta esperanzador para los investigadores que trabajan en este campo.

En base a sus experimentos, confían en poder emplear la ingeniería de van der Waals para desarrollar nuevas aplicaciones de memoria ferroeléctrica en el futuro. Por el momento no especifican los usos a los que van a dirigir sus próximos experimentos, pero cabe esperar que se dediquen a desarrollar un soporte de memoria enfocado al archivo de datos, que podría derivar en aplicaciones comerciales en los próximos años. Asimismo, consideran que su avance abre las puertas a la investigación de memoria basada en transistores ferroeléctricos para diferentes usos.

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