Nuevos materiales para fabricar memoria flash más rápida

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Científicos rusos y taiwaneses han desarrollado un tipo de memristor basado en un compuesto de nitruro de silicio que se podrá utilizar para fabricar una nueva generación de chips de memoria flash. Sus creadores afirman que su tecnología permitirá incrementar la velocidad y la resistencia de este tipo de chips, con densidades más altas, que permitirán fabricar unidades de almacenamiento de mayor capacidad.

La memoria flash es la base de la mayoría de unidades de almacenamiento de estado sólido, y la industria está trabajando para evolucionar su tecnología, tratando de aumentar la capacidad, velocidad y durabilidad de sus chips de memoria. Existen multitud d enfoques diferentes, que van desde lograr una mayor miniaturización de las mismas arquitecturas de chips a cambiar radicalmente la arquitectura o los materiales, para poder aumentar la densidad de celdas.

Ahora, un equipo de investigadores de la Academia de Ciencias de Rusia, el Instituto de Investigación de Electrónica Molecular de Rusia, el Instituto de Física y Tecnología de Moscú y la Universidad Nacional Chiao Tung (Taiwán) acaban de presentar una interesante propuesta. Se trata de un nuevo memristor libre fabricado a base de nitruro de silicio no estequiométrico (SiNx), un material que les permitirá diseñar dispositivos de memoria flash más fiables y rápidos, y con una densidad de celdas de memoria superior a los chips actuales.

En su trabajo, publicado en la revista Nature Scientific Reports, explican que han estudiado a fondo las propiedades de un memristor fabricado con este compuesto, creado empleando un método de deposición de vapor químico mejorado con plasma. Para ello han tenido que estudiar en profundidad los mecanismos de carga en todos los estados de la memoria, y han hallado que el transporte de carga en estados de alta resistencia no está descrito por los modelos empleados tradicionalmente para estudiar las propiedades de los semiconductores de memoria.

En cambio, sus investigaciones han revelado que el transporte de carga de estos memristores se puede determinar mediante el modelo de corriente limitada de carga espacial, tanto para el estado inicial de la memoria como para los de baja resistencia, resistencia intermedia y alta resistencia. Esto les ha permitido desarrollar una tecnología que afirman es más rápida, fiable y con más densidad, que supone un nuevo avance en el desarrollo de una memoria de estado sólido con mejores prestaciones que las actuales.

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