Nuevas tecnologías para mejorar las arquitecturas tridimensionales de memoria
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La memoria 3D NAND Flash es una realidad desde hace años, un concepto que ha permitido el apilamiento de capas de celdas para incrementar la densidad de almacenamiento en los chips. Ahora, la industria trabaja en otras formas de aprovechar esta tridimensionalidad, mejorando los canales verticales para aumentar el rendimiento y la escalabilidad de esta tecnología.
Tras el éxito que ha tenido la memoria 3D NAND desde casi sus orígenes, esta tecnología ha ido evolucionando y expandiéndose más allá de los discos duros SSD convencionales, llegando a la mayoría de dispositivos móviles, IoT, wearables e, incluso, a los centros de datos. Pero precisamente en estos entornos se busca siempre la máxima densidad posible sin sacrificar el rendimiento, lo que ha llevado a los fabricantes a seguir innovando.
Fruto de este avance han surgido tecnologías como V-NAND, cuyos chips también tienen una arquitectura tridimensional, pero optimizada mediante pistas verticales, además de horizontales, lo que acelera el rendimiento. Además, hay otras innovaciones similares como la denominada Three-Dimensional Race Track Memory (3D-RM), que promete mejoras con respecto a sus predecesoras.
Ahora, un equipo de investigadores japoneses ha desarrollado un esquema con el que pretenden mejorar la integración de todos los elementos en las tres dimensiones en esta innovadora tecnología y, por ende, su rendimiento y escalabilidad. Para ello, proponen el uso de un bucle vertical 3D-RM formado por dos nanocables horizontales y otros dos verticales, en los que la anisotropía magnética es perpendicular al sustrato.
En su trabajo, publicado en la revista Journal of Physics D: Applied Physics, explican que los nanocables horizontales contienen campos magnetizados perpendicularmente, mientras que los nanocables verticales están magnetizados longitudinalmente, cada uno con un tipo de pared diferente, que muestra un comportamiento de deformación distinto, que permite una arquitectura tridimensional y una integración mejoradas con respecto a diseños anteriores.
Con esta investigación pretenden contribuir el desarrollo de este tipo de memoria del que todavía no se habla mucho, pero que podría tener futuro en la industria electrónica e informática. A medida que se incrementan los requisitos capacidad de almacenamiento y computación de las aplicaciones emergentes, la industria busca nuevas tecnologías que permitan satisfacer la creciente demanda de densidad y rendimiento en los chips de memoria de estado sólido, y este tipo de memoria podría aportar soluciones útiles.
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