Comienza la producción de una nueva memoria DRAM con más densidad
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El fabricante Micron acaba de anunciar la puesta en marcha de una nueva línea de producción de memoria capaz de producir chips con una densidad superior a la DRAM actual. A partir de ahora comenzará la fabricación de nuevos chips en el nodo 1 alpha, tanto para dispositivos como para ordenadores y centros de datos, lo que estimulará la competencia en la categoría reina de la industria de semiconductores.
La memoria DRAM es uno de los componentes fundamentales de las plataformas de computación, los ordenadores personales y los dispositivos móviles, y su capacidad determina en gran medida el rendimiento de los equipos. A pesar de que están surgiendo alternativas no volátiles y de alto rendimiento para las infraestructuras de supercomputación y servidores de gama alta, la DRAM continúa evolucionando, y ahora uno de los líderes de la industria ha presentado la nueva generación de tecnología que ofrece más densidad por chip, que ya está disponible en el mercado masivo.
Se trata de Micron, que acaba de anunciar la llegada de la memoria DRAM 1α (1-alfa), un nuevo tipo de memoria fabricada con la tecnología de proceso más moderna de la industria. Junto con la nueva memoria NAND Flash de 176 capas y la mejora de los chips gráficos presentada recientemente, este movimiento constituye un golpe de efecto en el sector, que según los expertos, obligará a sus competidores a dar un paso adelante en la evolución de sus propuestas, especialmente para los dispositivos informáticos y móviles más avanzados.
En su presentación, Scott DeBoer, vicepresidente ejecutivo de tecnología y productos de Micron, destacó que su nueva memoria DRAM 1α ofrece una mejora del 40% en la densidad de memoria con respecto a su anterior nodo DRAM 1z, y permitirá seguir innovando en este tipo de tecnología para ofrecer soluciones de más capacidad en el futuro. Además, comenta que esta memoria ofrecerá un nuevo nivel de rendimiento, eficiencia y capacidad, no solo para los equipos informáticos más potentes, sino para todo tipo de ordenadores, smartphones, tablets y dispositivos conectados de diversa naturaleza.
Con esto en mente, la compañía pretende lanzar a partir de este mes soluciones DRAM para centros de datos, consumidores, clientes industriales y para soluciones automotrices. Y un punto importante en su estrategia, que obligará a la competencia amover ficha rápidamente es que van a proporcionar soluciones LPDDR (Low Power DDR5) más eficientes y potentes, que podrían conquistar los mercados de dispositivos ligeros.
Por ahora, el nuevo nodo de fabricación permite fabricar chips con densidades de 8 a 16 Gb, lo que permitirá lanzar productos para la mayoría de aplicaciones DDR4 y LPDDR4, respondiendo a la demanda de sus clientes. Pero abre las puertas a nuevos dispositivos DDR5 y LPDDR5 que irán llegando a medida que se expanda esta nueva generación de memoria. Mientas tanto, cabe esperar que los competidores más importantes de la marca, especialmente Samsung, realizarán sus propios movimientos para no quedarse atrás en la carrera de desarrollo de la memoria DRAM, cuyo mercado todavía tiene muchos años por delante.
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