Nace una nueva tecnología NAND Flash

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La startup californiana NEO semiconductor acaba de anunciar la creación de una nueva tecnología de memoria denominada X-NAND, con la que pretende revolucionar el mercado de almacenamiento. Según afirman sus creadores, su innovadora arquitectura proporciona la velocidad de los chips SLC con un precio similar al de las unidades QLC.

Durante el congreso virtual Flash Memory Summit 2020, la startup de origen californiano NEO Semiconductor ha presentado en detalle su arquitectura de memoria de estado sólido X-NAND, un nuevo diseño que pretende salvar las distancias entre los chips más rápidos y los más económicos que existen actualmente. Esta arquitectura se dio a conocer en 2018, pero ahora sus creadores han revelado los detalles técnicos de esta innovación, que según explican ofrece la velocidad de los chips Single Level Cell (SLC), con un coste similar al de los Quad Level Cell, mucho más económicos de fabricar, pero con peores características de rendimiento.

El objetivo que persiguen sus creadores es ofrecer soluciones de coste más contenido para aplicaciones de alta exigencia, como es la inteligencia artificial, el big data o los grandes despliegues de dispositivos IoT basados en 5G. En este anuncio, los técnicos de NEO Semiconductor afirman que sus chips son hasta 3 veces más rápidos que los QLC actuales, logrando superarlos en hasta 27 y 14 veces, respectivamente, al efectuar cargas de trabajo de lectura y escritura secuenciales.

Explican que esto se logra gracias a un troquel mucho más pequeño, que les permite más flexibilidad en el diseño y una mayor reducción del tamaño de la matriz de celtas de memoria. Gracias a ello, X-NAND ofrece un nivel muy alto de paralelismo incluso para factores de forma muy pequeños, como los de un smartphone o una unidad de almacenamiento con interfaz M.2. Y aseguran que esto se logra sin afectar al coste de fabricación o a la resistencia del propio chip resultante, a la vez que se minimiza el consumo energético.

Esta innovación le ha valido a la compañía el premio a la startup más innovadora, concedido por los organizadores de este importante congreso, algo que ha celebrado Andy Hsu, su CEO y fundador. Durante el evento, Hsu dijo que en su compañía están “encantados de recibir este premio en el mundialmente famoso Flash Memory Summit. Es un honor y un logro fantástico para el debut de X-NAND”. Y explicó que “la arquitectura X-NAND es un gran avance en el diseño de memoria flash NAND. Desde SLC hasta QLC, la capacidad NAND flash de cada generación ha aumentado y los costos se han vuelto más baratos, pero su velocidad también se ha vuelto significativamente más lenta”.

Continuó su intervención diciendo que “este cuello de botella para QLC NAND impide su uso en aplicaciones que requieren un rendimiento de alta velocidad. Nuestra arquitectura X-NAND resuelve este cuello de botella aumentando los planos de la matriz utilizando el tamaño de búfer de página existente, lo que aumenta el paralelismo para las operaciones de lectura y escritura. Como resultado, X-NAND puede lograr densidad QLC con velocidad SLC”.

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