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La memoria Flash continuará acaparando el mayor gasto en semiconductores

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El segmento de la memoria Flash se ha situado de nuevo como el de mayor gasto CAPEX dentro del sector de los semiconductores en 2018, superando de nuevo a la fundición y la memoria DRAM. De cara a 2019, a pesar de la ralentización de las ventas, los expertos prevén que continuará superando al resto de categorías, generando más de 25.000 millones de dólares en inversiones en todo el mundo.

Hasta el año 2016 la memoria Flash ocupaba el segundo lugar en el ranking de gasto de capital (CAPEX) de la industria, pero en 2017 dio un gran salto, impulsado por la evolución tecnológica que estaban realizando los principales fabricantes. Según las cifras preliminares del estudio “The McClean Report 2019, que está siendo elaborado por la firma IC Insights, en aquél entonces se incrementó un 92%, llegando hasta 27.600 millones de dólares. Con este crecimiento logró situarse a la cabeza del sector de semiconductores en lo que a inversión se refiere, superando a la fundición (21.900 millones) y a la memoria DRAM (14.400 millones). Desde ese momento la industria ha continuado invirtiendo con fuerza en el desarrollo tecnológico de la memoria NAND Flash, por lo que las cifras de CAPEX de los fabricantes han seguido creciendo hasta 2018.

Durante el año pasado, el desarrollo de los nuevos formatos de memoria NAND Flash ha hecho crecer un 16% interanual la inversión en nuevas fábricas y en la ampliación y modernización de las preexistentes, llegando a los 31.900 millones de dólares. Mientras tanto, el CAPEX vinculado a la fundición ha sido de 21.900 millones, y el de la memoria DRAM de 25.400 millones. Estas cifras son las más altas hasta ahora, y los expertos prevén que este año bajen en todos los segmentos, debido a que la demanda va a moderarse, al menos durante la primera mitad de 2019.

A pesar de que los clientes van a contener el gasto en memoria flash este año, la adaptación de la industria a los nuevos formatos continuará dejando unas cifras de CAPEX razonablemente buenas. Según prevén desde IC Insights, el gasto en memoria flash bajará un 18% en 2019, quedándose en casi 26.000 millones de dólares. Esto afectará también a la fundición, que registraría un CAPEX de 20.200 millones. Mientras tanto, la inversión en la fabricación de memoria DRAM superará ligeramente (y por segundo año consecutivo) a la fundición, registrando un CAPEX de 20.500 millones.

Entre los datos facilitados por esta firma de investigación, que apoyan estas previsiones, se incluyen varios movimientos de fabricantes destacados de la industria. Por ejemplo, que durante el año pasado el fabricante SK Hynix finalizó y puso en marcha su fábrica de obleas M15, en Corea del Sur, iniciando la producción de chips 3D NAND Flash de 72 capas. Por su parte, Micron destinó bastantes recursos a la mejora de dos fábricas en Singapur, e inició la construcción de una tercera, dedicada a obleas NAND.

Mientras tanto, Toshiba Memory finalizó la construcción de una nueva fábrica de obleas de 300mm en Yokkaichi durante la primera mitad de 2018, cuyas actividades comenzarán a principios de este año. Y anunció el inicio de la construcción de una nueva fábrica en julio. El fabricante XMC / YMTC también terminó la construcción de una nueva fábrica para producir memoria NAND de 32 capas.

Y, según afirman desde IC Insights, Samsung continuará invirtiendo con fuerza para mantener su liderazgo en la industria, que cada vez ve más cerca la llegada de los nuevos fabricantes chinos, que pretenden ganar cuota de mercado con rapidez, especialmente por la elevada demanda interna de su país de origen. El gigante coreano invirtió 13.000 millones en 2017 y 9.000 millones en 2018, acaparando el 28% del total del gasto en el sector (31.900 millones). Y los analistas esperan que en 2019 invertirá otros 7.000 millones de dólares.

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