Nuevo enfoque para maximizar el aprovechamiento de la memoria no volátil
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Investigadores norteamericanos y chinos han profundizado en uno de los problemas asociados al uso de memoria no volátil como sustituto de la DRAM convencional, que es la falta de aprovechamiento del bus de memoria. Han desarrollado un nuevo enfoque del sistema ORAN que permitiría mejorar la seguridad, corrección y rendimiento al cambiar de DRAM a RAM basada en NVM.
Las tecnologías de memoria no volátil ofrecen grandes promesas para sustituir a la memoria RAM convencional, pero aún quedan ciertos problemas por resolver para aprovechar completamente sus capacidades. Una de las tecnologías convencionales empleadas en el funcionamiento de la memoria principal (DRAM) es Oblivious RAM (ORAM), encargada de evitar la fuga de patrones de acceso en el bus de memoria.
Peor al sustituir la DRAM volátil por memoria no volátil (NVM), en busca de mejoras en el rendimiento, la retención de datos y la escalabilidad, no está garantizado el correcto funcionamiento del sistema ORAM. Investigadores de la Universidad de Hunan y el Instituto de Tecnología de Illinois han desarrollado un nuevo enfoque de ORAM con el que pretenden garantizar las capacidades de eficiencia, seguridad, corrección y rendimiento de la memoria principal basada en NVM.
Su propuesta, denominada PS-ORAM, está basada en un nuevo diseño de controlador ORAM y un conjunto de protocolos de acceso ORAM que admiten la consistencia de fallas, uno de los problemas que se presentan al cambiar DRAM por memoria no volátil. Afirman que lo han logrado sin afectar a la seguridad del sistema ORAM o su rendimiento.
Han probado PS-ORAM, tanto recursivo como no recursivo, con el sistema sin soporte de coherencia de choque, y han determinado que solo se produce una sobrecarga de rendimiento adicional del 3,65% y del 4,29%, respectivamente. Y sus creadores aseguran que esta tecnología no solo es compatible con la consistencia de fallas, sino que tiene un impacto muy limitado en el rendimiento y en la sobrecarga del hardware, y no afecta significativamente a la vida útil de la memoria NVM.
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