Nueva técnica que permitirá la fabricación de memoria no volátil basada en RRAM
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Ingenieros taiwaneses han desarrollado una nueva técnica para fabricar las capas de memoria resistiva RRAM, empleando un método de pulverización catódica de radiofrecuencia. El resultado es una mejora de las capacidades de conmutación resistiva de esta tecnología, que permitirá fabricar chips de memoria no volátil con características más avanzadas que los propuestos hasta ahora.
Entre las diversas tecnologías de memoria emergentes que pretenden sustituir a las actuales DRAM y NAND Flash está la memoria resistiva (RRAM), que según sus creadores combinará las altas velocidades de conmutación de la memoria DRAM o superior con la no volatilidad propia de la memoria de almacenamiento basada en NAND flash. El desarrollo de esta tecnología continúa en diferentes líneas de investigación, entre la que se encuentra la ciencia de materiales y los procesos de fabricación de los materiales resistivos.
Recientemente, un equipo de ingenieros de la Universidad Nacional Cheng Kung de Taiwán ha publicado un trabajo en el que describen una mejora en los procesos de fabricación de películas delgadas de Sm2Ti2O7 empleadas en diferentes proyectos de desarrollo de la memoria RRAM. En su investigación han empleado una técnica de pulverización catódica de radiofrecuencia para depositar el material en capas, y han analizado el efecto del recorrido posterior a la metalización (PMA) en las propiedades de conmutación resistiva (RS)n de esta memoria.
Sus pruebas muestran que este método proporciona ciertas mejoras importantes con respecto a los empelados normalmente en por los académicos y la industria, como unos voltajes establecidos más uniformes, mayores tiempos de ciclo de conmutación y una relación Ron/Roff más elevada. Además, han mostrado un comportamiento de conmutación resistiva bipolar (BRS).
Todo ello indica que el mecanismo conductivo puede ser controlado empleando diferentes proporciones de Argón y Oxígeno en la atmósfera de deposición y alterando el espesor de la película. Además, en su investigación han determinado que las propiedades de conmutación resistiva se pueden mejorar a través del tratamiento con PMA, debido a que se forma una capa de interfaz AIOx que evita que los iones de oxígeno se expandan más allá de los límites establecidos.
Según sus datos, a una temperatura PMA de 350oC los dos estados de resistencia se pueden distinguir mejor y se logra un mayor tiempo de retención a temperatura ambiente, lo que abre las puertas a la fabricación de aplicaciones de memoria no volátil basadas en RRAM fabricada con esta técnica de puverización catódica por radiofrecuencia.
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