Ventajas de los materiales 2D en la fabricación de memoria MRAM
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Un equipo formado por investigadores de varios países, entre ellos España, ha realizado un exhaustivo estudio sobre las ventajas que aportan los nuevos materiales 2D en la fabricación de memorias espintrónicas no volátiles. Este trabajo destaca cómo las propiedades especiales de estos materiales permitirán dar un salto tecnológico en el desarrollo de memorias emergentes como la MRAM, que podrían revolucionar la industria en el futuro.
La memoria es parte fundamental de las tecnologías informáticas y su desarrollo condiciona en gran medida la capacidad de los ordenadores, los servidores y las grandes plataformas de supercomputación para resolver los retos del futuro. En este campo se están estudiando nuevas tecnologías de memoria no volátil como la RAM magnetorresistiva (MRAM) de par de transferencia de giro o la MRAM de par de giro-órbita, que se basan en la espintrónica.
Estas tecnologías prometen un rendimiento excelente con un consumo energético muy contenido, así como la no volatilidad, un aspecto fundamental de todas las memorias emergentes que se emplearán tanto en los ordenadores y servidores como en los dispositivos IoT del futuro. Paralelamente a la investigación sobre MRAM se está avanzando mucho en el desarrollo de dispositivos basados en heteroestructuras bidimensionales de van der Vaals, una tecnología que promete grandes posibilidades en los procesos de fabricación de chips, entre ellos de memoria.
Recientemente la revista Nature ha publicado un trabajo realizado por un amplio grupo de investigadores de varias universidades y centros de investigación de Corea del Sur, Francia y España, entre ellos la ICREA (Barcelona) y el ICN2 (Barcelona). En él también han colaborado investigadores de Samsung y Globalfoundries, dos compañías muy interesadas en el desarrollo de las memorias emergentes que llegarán al mercado en el futuro.
En su trabajo han logrado describir los avances y desafíos actuales en torno al desarrollo de estos tipos de memoria MRAM, y han determinado las oportunidades que pueden surgir de la incorporación de materiales bidimensionales a esta memoria. Destacan las mejoras disruptivas que pueden aportar a este campo estas estructuras 2D, como interfaces atómicamente más suaves, una menor mezcla de materiales, mayor simetría de los cristales y los efectos de proximidad, propiedades con un gran potencial para revolucionar el campo de la memoria en los próximos años.
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