Memoria de alta densidad basada en nanoestructuras magnetoeléctricas

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Científicos de Alemania e India han desarrollado una tecnología basada en una matriz de nanoestructuras magnetoeléctricas con propiedades aplicables al campo de la memoria. Afirman que su invento permitiría construir dispositivos de memoria no volátil de alta densidad y bajo consumo energético, que ofrecerían una alternativa a las tecnologías actuales.

La industria de memoria está en constante búsqueda de tecnologías que permitan aumentar la densidad de almacenamiento y reducir el consumo energético, lo que permitiría construir dispositivos más eficientes, que puedan aportar soluciones en diversos campos de tecnologías emergentes. Por el momento se están explorando diferentes caminos, pero muchos coinciden en la utilización de materiales a una escala nanométrica, para aumentar la relación entre capacidad y volumen físico de la memoria.

Siguiendo estos preceptos, un nutrido grupo de investigadores ha desarrollado una nueva tecnología de memoria centrada en el aumento de densidad y la reducción del consumo energético. Se trata de un trabajo conjunto de científicos de la Martin Luther University Halle-Wittenberg, en Alemania, y de varias instituciones académicas de India. Entre ellas el Complejo escolar de capacitación de Anushakti Nagar, en Mumbai, el Centro de Simbiosis para Nanociencia y Nanotecnología (SCNN) de la Universidad Deemed, en Pune (India), el Centro Raja Ramanna para la Tecnología Avanzada (India) y el Consorcio para la Investigación Científica UGC-DAE en Indore (India).

En el trabajo que han publicado en la revista Applied Physics Letters describen una matriz ordenada de nanoestructuras multiferroicas magnetoeléctricas (ME) compuesta por nanopuntos de NiFe2O4 situados bajo una capa ferroeléctrica de PMN-Pt mediante máscaras de plantilla basadas en nitruro de silicio y técnicas de deposición de láser pulsado. Según mediciones realizadas mediante microscopía de fuerza magnética y de respuesta piezoeléctrica han revelado la coexistencia de dominios magnéticos y ferroeléctricos en estas capas a temperatura ambiente.

Afirman que este diseño mejora las capacidades de otras tecnologías similares presentadas por otros investigadores, permitiendo el almacenamiento de más cantidad de información binaria en dispositivos de memoria, manteniendo las ventajas de la memoria de acceso aleatorio RAM ferroeléctrica, pero eliminando su mayor desventaja, que es la lectura destructiva de la polarización. Y dicen que su tecnología permitiría fabricar conjuntos de nanopuntos para su aplicación en dispositivos magnetoeléctricos de mayor densidad y menor consumo energético. Por ejemplo, una RAM no volátil con mejores capacidades y no volatilidad, y otros dispositivos de memoria enfocados al almacenamiento de alta velocidad.

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