Colaboración para acelerar el desarrollo de la memoria magnética

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Silicon Chips

El Instituto de Investigación de Tecnología Industrial de Taiwán se ha aliado con el principal fabricante de semiconductores del mundo y con otras instituciones para mejorar la tecnología de memoria magnética. El resultado es una tecnología MRAM más rápida, resistente y con una vida útil de más de 10 años, que podría revolucionar el mercado en el futuro.

El Instituto de Investigación de Tecnología Industrial de Taiwán acaba de anunciar los resultados de su colaboración con el principal fabricante de semiconductores del país y del mundo, TSMC, en la investigación sobre memoria MRAM. Concretamente, han trabajado en el desarrollo de chips de matriz de memoria magnetorresistiva de acceso aleatorio de torque de espín de órbita (SOT-MRAM). Además, junto con la Universidad Nacional Yang Ming Chiao Tung (NYCU) han trabajado en mejorar la resistencia térmica de la memoria magnética, logrando que alcance una temperatura operativa de casi 400 grados centígrados.

Como explica el director general de los laboratorios de investigación de sistemas electrónicos y optoelectrónicos del ITRI, el Dr. Shih-Chieh Chang, conjuntamente con TSMC, el ITRI ha logrado reducir el voltaje y la corriente necesaria para el funcionamiento de la memoria magnética, mejorando la eficiencia energética de la memoria SOT-MRAM. Y han logrado aumentar la velocidad de escritura a 0,4 nanosegundos, logrando además aumentar la resistencia de los chips hasta 7 billones de operaciones de lectura y escritura.

Las mejoras en este tipo de memoria, llamada a sustituir a la memoria DRAM en ciertas aplicaciones, permiten que la vida útil de estos chips sea superior a los 10 años. Estas mejoras en la velocidad, resistencia y fiabilidad abren las puertas a su uso en la industria automotriz, en la computación de alto rendimiento (HPC) y en las infraestructuras dedicadas a la inteligencia artificial.

Por otro lado, la colaboración con la NYCU ha estado encaminada a mejorar la eficiencia operativa de la memoria MRAM, concretamente el reciente estándar STT-MRAM. Gracias a que se puede fabricar en forma de películas compuestas ultradelgadas con espaciadores de magnesio, esta memoria eleva las cotas de velocidad de escritura, latencia, eficiencia energética y resistencia.

Estos son dos ejemplos del trabajo que se está realizando en uno de los países más importantes para la industria de semiconductores, cuyas instituciones académicas están apostando por la innovación y la colaboración con la industria para desarrollar las tecnologías de memoria del futuro. El objetivo del ITRI de cara a 2030 es profundizar en esta estrategia de colaboración, extendiéndola a otros sectores en busca de sinergias que permitan acelerar los proyectos de investigación y desarrollo en el campo de los semiconductores.

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