Mejoras en la memoria RAM resistiva

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Investigadores de Malasia han desarrollado una nueva arquitectura de matrices de barras transversales para mejorar el desempeño de la tecnología de memoria RAM resistiva. Mediante un nuevo circuito amplificador han logrado reducir el tiempo de lectura de datos ente un 32% y un 85%, y el rendimiento energético entre un 54% y un 59% con respecto a los diseños actuales.

La memoria RAM resistiva (ReRAM) es una de las tecnologías que pretende sustituir a la memoria DRAM que se emplea actualmente en los equipos informáticos. Esta tecnología proporciona capacidades superiores, como la no volatilidad, pero todavía debe desarrollarse más para convertirse en un sustituto viable. Algunas de las capacidades que debe mejorar esta memoria  son la velocidad de lectura y la eficiencia energética, y los investigadores están trabajando en diferentes enfoques para lograrlo.

Recientemente, un equipo de ingenieros de la Universidad de Nottingham, en Malasia, han publicado un artículo en la revista International Journal of Electronics en el que detallan una nueva mejora en estas capacidades de la memoria ReRAM. En él describen un circuito amplificador de detección del modo de voltaje, diseñado específicamente para matrices de memoria ReRAM, formado por un búfer inversor que habilita el funcionamiento a un voltaje muy bajo para la lectura de datos.

Además, consta de un comparador diferencial que emplea un 20% menos de transistores con respecto al diseño ReRAM convencional, que permite determinar los estados lógicos de las celdas de este tipo de memoria. En sus simulaciones han empleado una estructura de barras cruzadas de memoria de 2x2 y han comparado los resultados de su diseño con los amplificadores empleados en la actualidad en esta tecnología de memoria.

El resultado es una mejora del tiempo de lectura de entre un 32% y un 85% con respecto a la memoria ReRAM diseñada hasta ahora, y un rendimiento energético superior, en un rango de entre el 54% y el 59% frente a la ReRAM propuesta actual. Este desarrollo ilustra cómo la memoria RAM resistiva todavía tiene mucho margen de mejora, lo que da más fuerza a la idea de que logrará sustituir a la memoria DRAM en las plataformas informáticas del futuro.

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