Nuevo esquema para mejorar la confiabilidad de la memoria 3D NAND

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NAND Flash 2

Investigadores chinos han desarrollado un innovador esquema de suspensión de programas que promete mejorar la confiabilidad de la memoria 3D NAND flash. Según sus pruebas, esta tecnología reduce el nivel de errores de lectura inesperados que generan los esquemas convencionales, y podría verse muy pronto en los productos NAND flash del principal fabricante chino.

En la memoria 3D NAND flash se producen ciertos bits de error de lectura (FBC) cuando se emite el comando de suspensión de la programación, durante la etapa de programación, y estos se hacen más patentes a medida que aumenta el tiempo de retraso entre esta suspensión del programa y otras funciones posteriores. Esto reduce la confiabilidad de la memoria y la industria está trabajando en una forma de resolverlo.

Para mitigar estos errores un nutrido equipo de investigadores de la Academia China de Ciencias y de la compañía YMTC (Yangtze Memory Technologies Company), responsable de la memoria 3D NAND más avanzada de la industria china, han desarrollado una tecnología innovadora. Se trata de un nuevo esquema de suspensión de la programación que promete mejorar la confiabilidad de la memoria.

En un artículo publicado en la revista Journal of the Electron Devices Society explican que al analizar la forma de onda del esquema convencional de suspensión del programa se aprecia que los bits de error de lectura adicionales son causados por la diferente ocupación de las trampas BGT en el canal de silicio policristalino (poli-Si) durante el tiempo de inactividad tras suspender la operación de programación.

Y para resolverlo proponen un nuevo esquema de suspensión del programa añadiendo un pulso estabilizador inmediatamente después de la etapa de programación. Según sus experimentos, este esquema reduce la generación de bits de error de lectura a niveles más aceptables, lo que mejora sustancialmente la confiabilidad de la memoria 3D NAND flash. Dado que en este avance han intervenido los investigadores de YMTC, cabe esperar que esta tecnología pueda tener aplicación en sus futuros productos de memoria, con los que empiezan a competir con los gigantes de la industria.

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