Nueva técnica para evaluar la confiabilidad en el almacenamiento 3D NAND
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Investigadores italianos han diseñado una nueva técnica para predecir la confiabilidad de los procesos de lectura en las unidades de almacenamiento basadas en memoria 3D NAND, empleando un bajo número de muestras. Esto proporciona a los administradores un modelo más preciso y extenso para poder implementar rutinas de administración sin comprometer el rendimiento general ni la confiabilidad del sistema.
Las tareas de mantenimiento habituales de los sistemas de almacenamiento de estado sólido basados en memoria 3D NAND flash pueden reducir el rendimiento del sistema y a la confiabilidad en los procesos de lectura. Para evitarlo se requiere un modelado extenso de la confiabilidad en los diferentes escenarios, de forma que los técnicos puedan implementar las rutinas de administración de forma que el funcionamiento normal de los sistemas no se vea afectado.
Hasta el momento, por lo general se utilizan modelos estadísticos paramétricos que capturan la evolución de a confiabilidad de la memoria, pero limita la descripción a un comportamiento promedio, sin tener en cuenta casos de uso extremos que pueden sufrir interrupciones de los servicios o una merma del funcionamiento normal del almacenamiento de datos.
Para mejorar las capacidades en este sentido, un equipo de investigadores de la Universita degli Studi di Ferrara, en Italia, ha desarrollado una herramienta de estadísticas extremas, empleando el método Points-Over-Threshold, capaz de caracterizar la perturbación de lectura en los chips de memoria 3D NAND flash.
Tal como explican en el trabajo que han publicado en la revista IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, a través del análisis de eventos extremos han logrado predecir con gran exactitud la confiabilidad de la matriz, y lo han hecho empleando un bajo número de muestras.
Aseguran que han logrado unas buenas características de predicción para eventos de cola de distribución, sin generar un impacto significativo en el rendimiento y la confiabilidad del sistema. Esto ayudará a mejorar los procesos de administración del almacenamiento en los sistemas basados en unidades de estado sólido, que actualmente se basan casi por completo en unidades de memoria 3D NAND.
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