Nuevo ecualizador bidireccional para mejorar la velocidad de la memoria NAND
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Investigadores norteamericanos y surcoreanos han desarrollado un sistema de ecualización capaz de mitigar las distorsiones que afectan al canal de memoria en los chips NAND Flash. Con este desarrollo han logrado aumentar la velocidad de las transferencias de información en los procesos de lectura y escritura en los chips, lo que mejora su rendimiento general del almacenamiento de estado sólido.
Una de las características de la memoria de estado sólido como NAND Flash es que emplea interfaces en las que se conectan varios paquetes de memoria a un controlador mediante una línea de transmisión ramificada. En esta estructura se produce una discrepancia en la impedancia de las distintas ramas y se genera una reflexión no deseada de los paquetes desactivados, lo que degrada la calidad de la señal y en última instancia limita la velocidad de la interfaz.
Ante estos problemas, un equipo de científicos de la Universidad de Ciencia y Tecnología de Missouri, en colaboración con la empresa surcoreana de memoria SK Hynix, han desarrollado una nueva tecnología que promete mejorar el rendimiento de la interfaz utilizada en la memoria NAND flash. En el artículo que han publicado en la revista IAAA Transactions on Electromagnetic Compatibility, describen un nuevo sistema, que denominan Stub equalizer, que promete mejorar la velocidad de la interfaz de memoria.
Según explican en este documento, han colocado un ramal abierto de extremo a extremo entre un transmisor y un receptor, y determinando la longitud, la impedancia y la ubicación de la línea del ramal para cancelar adecuadamente la reflexión de las demás ramas. Y su tecnología optimiza los parámetros en función de los resultados del análisis de distorsión de picos y mediante una búsqueda exhaustiva que contempla los modos de lectura y escritura.
Para demostrar las mejoras que aporta esta innovación han llevado a cabo simulaciones de diagramas de ojos, típicamente utilizados en el análisis de señales, y han corroborado un incremento en el ratio de datos de la interfaz de memoria. Teiendo en cuenta que uno de los mientras de este equipo pertenece a la firma SK Hynix, cabes esperar que este desarrollo pueda dar sus frutos en la industria como parte de productos finales, o que siente las bases para la mejora de sus dispositivos de memoria NAND en el futuro.
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