Nuevo récord de velocidad en el almacenamiento magnético

El rendimiento es el punto flaco de los sistemas de almacenamiento magnético, y es precisamente este parámetro el principal motivo de que la industria tecnológica esté cambiando hacia el almacenamiento de estado sólido. Pero ahora, un equipo de investigadores de la Universidad de Berkeley (California) y de la Universidad de Lorena (Francia) ha presentado una nueva tecnología que promete incrementar el rendimiento de escritura de los discos duros magnéticos en casi 100 veces.

Como explican en un artículo publicado recientemente en la revista Nature Electronics, han desarrollado una nueva técnica de cambio de magnetización, que permite calcular mejora las necesidades energéticas del proceso de conmutación, acelerando el proceso con un consumo de energía inferior al actual. Además, destacan que su tecnología no solo serviría para mejorar las tecnologías de discos duros actuales, sino que tiene como objetivo la creación de chips de naturaleza magnética y no volátil, que podrían competir con los SSD en diferentes características fundamentales.

Para lograrlo, sus creadores explican que emplean pulsos eléctricos extremadamente cortos, de 6 picosegundos, que permiten realizar el cambio de magnetización para registrar los datos binarios con una gran eficiencia energética. Como explica Jon Gorchon, investigador del Centro Nacional Francés de Investigación Científica (CNRS), uno de los integrantes de este equipo internacional de investigadores, “la integración de la memoria magnética directamente en los chips de las computadoras ha sido un objetivo buscado durante mucho tiempo. Esto permitiría retener los datos locales en el chip cuando la energía está apagada, y permitiría acceder a la información mucho más rápidamente que extraerla desde una unidad de disco remota”.

Por su parte, Jeffrey Bokor, profesor de ingeniería eléctrica y ciencias de la computación en el Universidad de Berkeley, explica que “la alta eficiencia energética de este novedoso proceso de conmutación magnética ultrarrápida fue una sorpresa grande y muy bienvenida. Un dispositivo espintrónico de baja energía y alta velocidad puede abordar potencialmente las limitaciones de rendimiento de los sistemas de memoria de nivel de procesador actuales, y también podría usarse para aplicaciones lógicas”.

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