Nueva tecnología de memoria de cambio de fase
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Aunque ya existen productos comerciales basados en esta tecnología, el avance de la memoria de cambio de fase continúa, ya que a industria trata de mejorar sus prestaciones. Ahora, un equipo de investigadores coreanos ha publicado una investigación sobre un nuevo material que puede adoptar un estado cuasi-cristalino que mejora la estabilidad térmica y el consumo energético.
Una de las innovaciones más revolucionarias en el campo del almacenamiento es la de memoria de cambio de fase (PCM), una tecnología que proporciona un mejor rendimiento que la memoria NAND con un coste y un consumo energético menores que la DRAM. Esto está encontrando su lugar en las infraestructuras de computación más avanzadas, un campo en el que las exigencias no paran de crecer, lo que impulsa constantemente la innovación en busca de mejores prestaciones.
Ahora, un amplio equipo de científicos e ingenieros de la Universidad de Yonsei, en Seúl (Corea del Sur), ha publicado un trabajo de investigación en el que proponen una nueva tecnología de memoria de cambio de fase, que es capaz de mejorar las capacidades de las actuales. Esta tecnología se basa en la transformación de un material de un estado amorfo a otro cristalino, un proceso reversible y medible que permite almacenar información binaria basada en estos dos estados.
Ahora, estos investigadores proponen el uso de un nuevo material capaz de adoptar estado que denominan cuasi-cristalino, para el que se requiere un menor gasto de energía. Y consideran que este proceso es lo suficientemente estable como para garantizar la no volatilidad que requiere el almacenamiento de estado sólido. Generalmente, en los procesos de cambio de fase la energía y la estabilidad térmica disminuyen simultáneamente a medida que la fase amorfa se desestabiliza, algo que según los expertos está directamente relacionado con la relación de compensación entre la estabilidad y el consumo de energía.
Aseguran que esto se puede resolver reduciendo la carga entrópica de energía empleada en el cambio de fase cristalino a cristalino de una estructura de superrejilla GeTe/Sb2 Te3. Se apoyan en el reciente cambio de paradigma que se ha producido en el campo de la cristalografía atómica, empleando un cuasi-cristal, un nuevo tipo de simetría de ordenamiento atómico sin simetría de traslación lineal. Aprovechando estos avances, los investigadores presentan una nueva tecnología de memoria PCM basada en la capacidad de cambiar de un estado cuasi-cristalino a uno cristalino, reduciendo el consumo energético y mitigando los problemas derivados de la inestabilidad de la fase amorfa.
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