Un estudio ayuda a identificar mejores materiales para las memorias de cambio de fase
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Investigadores suizos han realizado un estudio sobre el comportamiento de los materiales empleados en las memorias de cambio de fase, que permitirá identificar mejores materiales para la fabricación de este tipo de dispositivos. Esto contribuirá al desarrollo de un tipo de memoria que ya ha dado sus primeros pasos en ciertas categorías de equipos de computación y sistemas de almacenamiento.
La memoria de cambio de fase (PCM) está proporcionando nuevas capacidades en campos como el almacenamiento computacional y las redes neuromórficas, donde se han puesto en valor las especiales propiedades de este tipo de memoria emergente. Estas incluyen la capacidad de almacenar un valores de resistencia continua, lo que se puede usar para realizar operaciones aritméticas, por ejemplo la multiplicación de matrices de vectores, o para valorar la eficiencia sináptica en las redes neuronales.
Por ahora existen pocos formatos comerciales de memoria PCM, pero la industria está trabajando para desarrollar nuevos dispositivos que sean capaces de superar los problemas actuales de esta tecnología. Uno de ellos se produce a causa de las variaciones de resistencia derivadas de la relajación estructural, el ruido y los cambios en la temperatura ambiental.
Un ejemplo de estos esfuerzos es el reciente trabajo publicado por un amplio gripo de investigadores suizos, en colaboración con IBM Research, que han desarrollado un nuevo modelo de dispositivo que es capaz de capturar dos factores clave, que son la deriva de la resistencia y la dependencia del estado de resistencia.
El primero se refiere a la evolución temporal de la resistencia del material, y el segundo a la relación de dependencia que existe entre la resistencia del dispositivo yla configuración de fase del propio material de cambio de fase. Y este material se compone a grandes rasgos de antimonio y nitruro metálico, que permiten unas propiedades óptimas para la memoria PCM.
Según el estudio realizado por estos investigadores, la resistencia interfacial tiene un papel destacado en estos dispositivos, lo que proporciona a los fabricantes nuevas pautas para la selección de materiales y el diseño de los dispositivos de memoria PCM. Este estudio contribuirá al desarrollo de memorias de cambio de fase optimizadas para las nuevas aplicaciones emergentes, sobre todo en las redes neuromórficas y la computación destinada a la inteligencia artificial más avanzada.
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