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Nuevos avances en las memorias de cambio de fase

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Las tecnologías de memoria más modernas que se usan en la actualidad son las de cambio de fase, que proporcionan un equilibrio sin igual entre rendimiento, consumo y coste, añadiendo la no volatilidad de los datos. Este tipo de tecnología está en la cresta de la ola, pero su evolución continúa, y ahora un equipo internacional de científicos ha realizado una investigación que llevará a superar el problema de la deriva de resistencia, que reduce la precisión de esta memoria.

El constante avance digital está impulsando el desarrollo de nuevas tecnologías de memoria de almacenamiento y de trabajo, que sean más versátiles y capaces de trabajar a mayor velocidad, mejorando a su vez el consumo energético sin que los dispositivos tengan un coste prohibitivo. Esto ha llevado al desarrollo de la memoria de cambio de fase (PCM), basada en materiales como el calcogenuro, que ha permitido fabricar módulos de memoria PCM de gran rendimiento y fiabilidad.

Pero este tipo de memoria se ve afectada por un problema de deriva de resistencia, que reduce de forma significativa la precisión de los dispositivos que usan este tipo de chips de memoria, y la industria continúa investigando para superar esta barrera. Un ejemplo es el trabajo recientemente publicado por un equipo internacional de ingenieros de la Escuela de Ciencia e Ingeniería de Materiales de la Universidad de Xi'an Jiaotong (China), y del Departamento de Ciencia e Ingeniería de Materiales de la Universidad John Hopkins (Estados Unidos).

Su trabajo se centra especialmente en el estudio de los mecanismos de la relajación estructural espontánea de los materiales amorfo empleados en la memoria de cambio de fase, un efecto que causa el envejecimiento de la memoria y que provoca el mencionado problema de pérdida de precisión por la deriva de resistencia. Mediante una exhaustiva revisión de los más recientes descubrimientos en materiales y los últimos experimentos y simulaciones realizadas por los científicos que trabajan en este campo, han determinado una serie de estrategias que se pueden aplicar para reducir el envejecimiento de los materiales con que se fabrica la memoria de cambio de fase.

Además, proponen aplicar el aprendizaje automático al estudio posterior de los materiales de calcogenuro y a los datos obtenidos sobre el funcionamiento de esta tecnología, con el fin de ampliar su comprensión sobre el problema de la deriva de resistencia. En su opinión, esto contribuirá a ampliar la vida útil de los dispositivos basados en memoria PCM, especialmente en otras aplicaciones avanzadas como la fotónica no volátil.