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Mejoran las técnicas de fabricación epitaxial de semiconductores

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La técnica de crecimiento epitaxial se emplea en la fabricación de multitud de semiconductores, permitiendo controlar la pureza del material a medida que se crean las estructuras que lo forman. Esta técnica continúa evolucionando y, ahora, un equipo de investigadores indios afirma haber mejorado el proceso para la fabricación de memoria no volátil, empleando un sistema de polarización ferroeléctrica.

Una de las técnicas más utilizadas para la fabricación de chips de memoria no volátil es la de crecimiento epitaxial. Esta consiste en hacer crecer la estructura de un material semiconductor depositando una capa delgada del mismo material, con la forma deseada según la arquitectura final del chip. Para ello, a grandes rasgos, se calienta el material base hasta casi el punto de fusión y se pone en contacto con otra pieza del mismo material para que este se adhiera en una lámina ultradelgada, que debido a la acción del calor se fusiona, y se recristaliza el enfriarse.

Esta técnica es ampliamente utilizada desde hace tiempo, pero la industria está trabajando en otras tecnologías para la fabricación de semiconductores, buscando formas d acelerar el proceso y, como mínimo, mantener el alto nivel de calidad actual. Pero el sistema de crecimiento epitaxial continúa evolucionando, y ahora un equipo de investigadores de diferentes instituciones de India ha publicado un trabajo en el que afirman haber mejorado este sistema.

En su paper explican que su técnica se basa en mejorar las propiedades de cambio de polarización y de crecimiento de la heteroestructura epitaxial ferroeléctrica-superconductora de los procesos empleados normalmente en la fabricación de memoria DRAM convencional (volátil). Afirman que estos mismos principios se pueden aplicar a la fabricación de memoria no volátil, cumpliendo con los requisitos técnicos propios de estas tecnologías, que difieren de los empleados en la fabricación de memoria DRAM.

Este avance podría tener impacto en la industria de semiconductores de memoria, ahora que los fabricantes están explorando las posibilidades que ofrecen ciertas tecnologías de memoria no volátil como sustitutos o complementos de la memoria DRAM en las plataformas informáticas de alto rendimiento. Y estos avances se podrán ver en unos años a otra escala, probablemente formando parte de los ordenadores personales que utilizamos en nuestro día a día para trabajar o disfrutar del ocio digital.

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