Nuevos avances tecnológicos llegan a la industria de memoria taiwanesa
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Los esfuerzos realizados por el Instituto de Investigación Tecnológica Industrial de Taiwán en el campo de la memoria están dando sus frutos, y las empresas del país que colaboran con esta institución están empezando a cosechar los resultados. Concretamente en los campos de la memora RAM Ferroeléctrica FRAM y la SOT-RAM, dos novedosas tecnologías que proporcionarán nuevas posibilidades para el campo de los dispositivos IoT habilitados para la inteligencia artificial y los futuros vehículos autónomos.
Desde hace algún tiempo el ITRI (Instituto de Investigación de Tecnología Industrial de Taiwán) ha estado trabajando en el desarrollo de diferentes formatos de memoria emergente. Uno de los caminos a seguir, y para el que ha recibido apoyo y financiación por parte del gobierno y de la industria tecnológica nacional, es el de memorias que permitan acelerar el desempeño del nuevo ecosistema de dispositivos IoT habilitados para las redes de Inteligencia artificial y la conducción autónoma, entre otros usos.
Ahora, el ITRI está comenzando a devolver estas inversiones en forma de nuevos desarrollos de memoria que podrían suponer importantes avances para la industria del país. Dos de ellos son la RAM Ferroeléctrica (FRAM) y la SOT-RAM (Spin-Orbit Torque MRAM), dos tecnologías de nueva generación enfocadas inicialmente a dos campos diferentes, pero que podrían trascenderlos.
La FRAM ayudaría a reducir sustancialmente el consumo eléctrico de los dispositivos IoT, algo fundamental para los dispositivos empleado en la automatización industrial, las ciudades inteligentes y muchos otros usos de redes de dispositivos conectados de nueva generación. Por su parte, la SOT-RAM ofrece mejoras sustanciales de rendimiento para aplicaciones en los vehículos autónomos, aunque sus creadores también apuntan hacia los centros de datos.
En este caso concreto, sus creadores no valoran tanto el mayor rendimiento, que en los centros de datos se puede lograr con otras tecnologías, sino la mayor estabilidad, gracias a que esta memoria tiene una estructura tres terminales, que permite diferentes rutas complementarias para las operaciones de lectura y escritura, lo que proporciona más confiabilidad.
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