Los ingresos de NAND flash crecerán tímidamente hasta 2024

El gran auge que ha vivido el sector de la memoria independiente (DRAM y NAND) entre 2016 y 2018 ha finalizado. Mientas en ese período se logró crecer a una tasa interanual compuesta (CAGR) del 32%, multiplicando el valor del sector, entre 2018 y 2024 las previsiones de los expertos son menos halagüeñas. Concretamente, los ingresos del segmento de memoria NAND flash crecerán a un mero 4% interanual. Esto, a pesar del crecimiento de la nube y la movilidad, y de la proliferación de tecnologías como IoT o la inteligencia artificial, que se han convertido en un importante motor para los mercados de almacenamiento de estado sólido.

Pero la desaceleración de la demanda de clientes clave como los fabricantes de teléfonos móviles y los operadores de centros de datos. Esto ha dado como resultado unas malas previsiones para al menos este año. Según el último informe de la firma Yole Developpement, los precios de DRAM bajarán un 40% este año, y no se espera que aumenten hasta 2020. Los de la memoria NAND Flash no caerán tanto, en principio, aunque el mercado está sujeto a muchos factores de inestabilidad actualmente, así que es posible que estas previsiones puedan ser, incluso, demasiado optimistas.

A más largo plazo, este estudio pronostica que los ingresos de la memoria NAND y DRAM crecerán a una CAGR del 4% y el 1%, respectivamente, entre 2018 y 2024. Y este exiguo crecimiento se logrará gracias al empuje de las nuevas tecnologías emergentes que están impulsando un mayor gasto en infraestructuras TI de nueva generación, y a una previsible mejoría de los mercados de smartphones y ordenadores portátiles, que probablemente llegará a partir de 2020, de la mano de nuevos ciclos de actualización de los consumidores y as empresas. Además, parte de los ingresos provendrá de nuevos segmentos como el de las tecnologías para la automoción y para los despliegues industriales de IoT.

Al mismo tiempo, los expertos pronostican que la memoria NAND y DRAM para centros de datos y entornos empresariales encontrará una creciente competencia en las nuevas memorias de clase de almacenamiento (SCM), como la memoria de cambio de fase (PCM) Optane de Intel, que se puede utilizar para el almacenamiento de alta velocidad, pero también como sustituto de la DRAM convencional. Esto, gracias a que las nuevas plataformas XEON son compatibles con los nuevos módulos Optane NVDIMM. Y a esta tecnología se sumarán otros nuevos tipos de SCM, que vienen de la mano de fabricantes como Samsung, SK Hynix o Micron, entre otros.

Y, durante el período pronóstico que contempla este estudio, se espera que la industria china logre poner al día el nivel tecnológico de sus propias arquitecturas de memoria 3D NAND, lo que introducirá un nuevo factor de competencia y diversificación, en un mercado que estaba alcanzando un alto grado de consolidación. Además, esto proporcionará alternativas locales a las empresas de China, un país que en la próxima década concentrará gran parte de las ventas globales de memoria de estado sólido.

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