Materiales 2D para combinar NAND y NOR en dispositivos multifuncionales
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El uso de materiales bidimensionales de nueva generación para la fabricación de circuitos integrados avanzados está abriendo nuevas posibilidades en la industria de chips. Un ejemplo es el trabajo de un equipo de científicos surcoreanos y estadounidenses, que han demostrado la posibilidad de utilizar estos materiales para combinar puertas lógicas NAND y NOR a través de un único canal, lo que ayudará a crear dispositivos multifuncionales con múltiples usos en el almacenamiento, la computación y otros tipos de semiconductores.
En los últimos años se han desarrollado diferentes materiales 2D enfocados a la fabricación de chips para aplicaciones avanzadas, que proporcionan una mayor diversidad estructural, una alta funcionalidad y mayor facilidad de integración en las tecnologías de chips. Muchos investigadores están trabajando con estos compuestos para desarrollar enfoques innovadores aplicados a diversos campos de los semiconductores, desde las memorias emergentes a dispositivos integrados con capacidades múltiples.
Siguiendo este camino hacia la multifuncionalidad, un equipo de investigadores de la Universidad Inha de Seúl, la Universidad de Texas en Dallas, el Instituto Coreano de Ciencia y Tecnología (KIST) y la Universidad de Ciencia y Tecnología de Seúl han presentado un descubrimiento innovador. En su trabajo, publicado en la revista NJP 2D Materials and Applications, perteneciente a Nature, proponen dos estructuras SG-FET basadas en Disulfuro de Molibdeno homogéneo (MoS2): AND-FET y OR-FET.
Explican que las direcciones de separación de ambas estructuras son perpendiculares entre sí, lo que permitiría su combinación para integrar características de conmutación AND y OR en una estructura SG-FET con espacio de separación en longitud y latitud, respectivamente. Y afirman que se pueden establecer conexiones en serie y en paralelo de transistores basados en estos dispositivos de conmutación, tradicionalmente utilizados dispositivos diferentes.
Sus experimentos muestran que el uso combinado de estos dispositivos de conmutación permite utilizar puertas NAND y NOR a través de un solo canal activo. Esto abriría las puertas al diseño de dispositivos multifuncionales y altamente integrados basados en materiales 2D, que podrían tener aplicaciones revolucionarias en la industria de semiconductores.
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