Skyrmions artificiales para aplicaciones de memoria emergente
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Investigadores de una universidad china han propuesto el uso de un nuevo tipo de skyrimon magnético generado artificialmente para la fabricación de dispositivos de memoria de nueva generación. Su investigación abre las puertas a seguir trabajando en diversos campos que allanarían el camino para desarrollar circuitos lógicos más potentes y tecnologías aplicables al almacenamiento de ultra alta densidad y computación neuromórfica.
Desde hace muchos años se estudian las estructuras magnéticas denominadas Skyrmions como medio para portar información digital y construir una nueva generación de circuitos lógicos funcionales, soportes de almacenamiento de datos de ultra alta densidad y dispositivos enfocados a la computación neuromórfica. Este campo de estudio ha dado hallazgos interesantes, como la posibilidad de generar una nucleación espontánea del skyrmion magnético gracias a la presencia de la interacción interfacial Dzyaloshinskii-Moriya en multicapas pulverizadas con magnetrón.
Pero todavía se requieren medios para controlar la posición y la disposición de estos skyrmions magnéticos, y un equipo de investigadores de la Universidad Normal de Nanjing, en China, ha propuesto una alternativa al uso de skyrmions nucleados espontáneamente. En un trabajo publicado en la revista Journal of Applied Physics, explican que ven muchas posibilidades en el uso de skyrmions artificiales.
Estas estructuras se generan mediante varios estímulos externos y sus descubridores aseguran que son muy prometedores de cara a la manipulación de la disposición de los skyrmions a necesidad, lo que permitiría registrar datos de forma más efectiva y controlable. Tras publicar sus trabajos en los que han definido este concepto de skyrmion artificial, en esta última revisión han definido varios procesos que pueden emplearse para su formación.
Y explican que ahora se centrarán en desarrollar los diversos métodos que pueden usare para generar estos skyrmions artificiales en multicapas magnéticas mediante la impresión de textura de espín, un imán de polarización integrado, el gradiente de campo magnético local, la irradiación óptica y la nanolitografía. El objetivo es acelerar el desarrollo de dispositivos espintrónicos basados en skyrmions para en el futuro fabricar dispositivos lógicos y de memoria de alta densidad con capacidades aplicables al almacenamiento y las formas de computación emergentes.
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